根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，去年下半年智能手机的新机发布并未如预期带来换机效应，因此自去年第四季中开始，市场提早进入传统淡季。品牌厂在历经3个月的库存水位调节后，于今年二月底才见市场需求转旺，并重启拉货动能，其中又以旗舰新机需求的大容量内存居多。整体而言，第一季受到智能手机市场回温、新机发表，以及行动式内存平均单价上涨的影响，全球行动式内存产值来到84.35亿美元，较去年第四季提升约5.3%，一反以往第一季营收衰退的轨迹，再度刷新历史记录。TtWesmc
展望第二季行动式内存产值表现，尽管合约价格涨幅趋缓，但受惠中国四大品牌华为、小米、OPPO、vivo的需求持续看旺，以及Android阵营、苹果阵营旗舰新机主流搭载容量上升的影响，预估第二季行动式内存总产值仍有机会较第一季成长。TtWesmc
DRAMeXchange指出，以个别供货商的营收表现来看，三星作为全球第一大的DRAM供货商，最先受到中国发改委的关注，第一季及第二季的报价都因而较过去几季收敛。行动式内存报价上的受限让三星另谋出路，透过积极营销大容量内存并且结合自家先进纳米制程技术，成功取得多数的大容量订单，交出第一季营收47.66亿美元的亮眼成绩，鳌占市场龙头宝座。制程进度上，三星的行动式内存几乎已全采18nm制程，仅少数LPDDR3 eMCP组合还有微量供应20nm产品。TtWesmc
SK海力士虽受惠第一季合约价格的上扬，但在新制程18nm初期良率不稳、产能不足的影响下，无法扩大旗舰机种用LPDDR4系列大容量DRAM的交付数量，第一季营收仅季增2.2%。在行动内存的产品规划方面，目前SK海士力仍以21nm的LPDDR4系列以及25nm微缩制程的LPDDR3供给为主，预估18nm产品(包含分离式以及eMCP)要到第三季才会普及，全年新制程渗透率恐低于10%。TtWesmc
美光集团第一季行动式内存营收达14.08亿美元，较上一季成长10.2%，成长幅度居三大主流供货商之冠，主要归功于整体需求不减、价格上扬。在行动式内存制程技术方面，台湾美光内存(原瑞晶)第二季产品规划仍以提高17nm制程比重为主，而在台湾美光晶圆科技(原华亚科)目前仍以20nm为主。其行动式内存产品规划也改以LPDDR4系列为主流产品，预估全年占比将过半。TtWesmc
台系厂商部分，南亚科受惠IDH厂因成本(BOM cost)考虑改采分离式(discrete DRAM+discrete Flash)取代eMCP，带动LPDDR3 4Gb出货增加，营收达9,600万美元，较上一季成长19.1%。其行动式内存制程技术目前仍以30nm微缩制程为主，未来南亚科将持续提高20nm占比，以增加获利空间。华邦第一季由于产品应用范围较小，需求起伏不大，第一季营收为4,400万美元，较上一季成长1.2%，表现平稳。 TtWesmc
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