国际电子商情报道，据长江存储官方消息，8月初，长江存储CEO杨士宁博士将发表《创新架构，释放3D NAND闪存潜能》的主题演讲。杨士宁博士将会介绍此项技术是如何将NAND传输速率提升至DRAM DDR4相当的水准，同时使存储密度达到行业领先水平，实现闪存行业的划时代跃进。 fNHesmc
Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率，从而将NAND闪存应用产品，如UFS、消费级及企业级SSD的性能提升至全新的高度。在客户、行业伙伴以及标准机构的合力帮助下，XtackingTM 将为高性能的智能手机、个人计算、数据中心和企业应用展开新篇章。
XtackingTM技术实现了NAND矩阵与外围电路的并行加工。这种模块化闪存开发和制造工艺将大幅缩短新一代3D NAND闪存的上市时间，并使NAND闪存产品定制化成为可能。
据悉，目前长江存储即将量产32层3D NAND Flash，按照规划，明年开始量产64层3D NAND Flash。
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