在汽车电子领域,这些创业公司是潜在的独角兽

近日由中国半导体行业协会集成电路设计分会、芯原控股主办的青城山中国IC生态高峰论坛,此次论坛围绕智慧汽车为主题,数家优秀的初创公司在此展露头角......

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加特兰:基于CMOS的毫米波雷达

早期采用砷化镓GaAs工艺的毫米波雷达造价高昂,功能集成度低,应用不多。2009年开始锗硅SiGe工艺的毫米波雷达的集成度大幅提升,被广泛应用,为了适应智能驾驶以及无人驾驶的到来,加特兰微电子CEO陈嘉澍表示,唯一的半导体工艺改变将发生在CMOS工艺,它将极大的降低毫米波雷达的成本。“如果以GaAs工艺的毫米波雷达造价为100美元,那么CMOS工艺的降到30美元以内,成本下降的幅度非常惊人。”P1Besmc

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加特兰微电子CEO陈嘉澍P1Besmc

除了降低成本之外,集成度也得到提升。陈嘉澍分析,起初GaAs的设计与布局非常复杂,后来得到大幅改进,单晶片简洁且小型化,但这种工艺不具备高频率工作,例如同样在77GHz的频率,采用同样的工艺节点,SiGe更容易实现高频率。随着晶体管每两年翻倍,从40nm开始最先进的CMOS工艺已经超过SiGe能够应用于这种电路设计。P1Besmc

目前,CMOS工艺已经用于通信芯片,连接芯片以及微处理器,年出货量达到1亿颗,SiGe工艺用于77GHz毫米波雷达、24GHz工业雷达等出货量达千万。随着CMOS工艺的毫米波雷达成为可能,未来有望得到大量的普及。P1Besmc

加特兰微电子主创团队来自于加州伯克利大学和谷歌,经过三四年的研发,2017年量产全球第一颗77GHz收发单芯片,也是目前唯一一个面向汽车行业可批量供应该产品的公司,完全符合ACQ100认证。P1Besmc

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该芯片集成发射接收和调频,以及集成了包括温度计、探测器、自检功能。“可以用简单的数字逻辑设计波形,适应现在主流的频段。同时还将芯片的功耗降到最低,整体功耗降到650毫瓦,对比GaAe工艺三颗芯片功耗为2瓦,我们这款产品的功耗达到将近1/3。目前毫米波雷达之所以那么笨重,很大一部分就是它的散热结构,如果能将散热结构缩减甚至是去除,对它的小型化非常有利。我们正在研发的产品整体只有半个名片大小。P1Besmc

不只芯片,加特兰提供一整套雷达系统,从路测效果看对进入雷达视野范围内的所有车辆都能被探测,距离、速度、方位角以及车辆大小的预估信息等。另外,加特兰正在研发的第二代产品将于下半年推出。P1Besmc

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