日前中芯国际发布了2018年中期业绩，收入同比增长11.5%至17.22亿美元，毛利同比增长5.6%至4.38亿美元，股东应占溢利同比减少23.7%至8097.6万美元，每股收益0.02美元。VA3esmc
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公告称，来自中国地区客户的收入增长占不含技术授权总收入的56.3%，相比2017年同期46%，收入升幅为23.9%。不含技术授权收入的确认，销售约15.61亿美元，主要因为期内付运晶圆增加所致。VA3esmc
付运晶圆的数量同比增加11%至234.2万片8吋等值晶圆。该项技术授权收入约为1.6亿美元，是经由内部研发尚未资本化，于期内授予中芯集成电路制造(绍兴)有限公司(中芯国际的联营公司)，并无相关销售成本确认。VA3esmc
此外，毛利率由上年同期的26.9%减少至25.4%。不含技术授权收入的确认，毛利率由上年同期的26.9%减少至17.8%，主要原因为期内产品组合变动及平均售价下跌所致。利润的减少主要由于投资及出售权益收益减少的影响所致，于2018年6月30日的净债务权益比率仍处于低位，为9.7%。VA3esmc
相较于2017年，中芯国际向着今年高个位数的收入成长目标迈进，与晶圆代工业增长步伐一致。中芯国际目标继续向股东贡献正的年度净收益。此外，中芯国际力求不包含技术授权收入的毛利润达到15%至20%的高位数。VA3esmc
本月初国际电子商情曾报道过，（相关阅读）中芯国际在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展，第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。目前中芯国际已在客户评估，IP校准及可靠性认证过程中。中芯国际的FinFET技术力求在明年上半年开始风险生产。VA3esmc
中芯国际联合首席执行长粱孟松博士此前表示，“进入董事会以来，我主要致力于FinFET技术的研发，这种技术是先进计算（advanced computing）应用的关键。我们已经调整了中芯FinFET技术发展计划，并且已在设备性能上看到较大的进步，相信中芯的FinFET解决方案将极具竞争力。”VA3esmc
除了28纳米PolySiON和HKC，中芯国际28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量，良率达到业界水准。鉴于28纳米HKC+技术开发完成，中芯国际将于今年年底进行试生产。VA3esmc
截止今年第一季度时，中芯国际28纳米营收有所下滑。当时梁孟松表示，出现这一情况的原因在于，对于智能手机行业来说，第一季度是传统的淡季，而28nm产品主要针对的就是智能手机等产品，因此会对28nm产生较大的影响。他指出，随着市场的复苏，28nm将会恢复到高个位数水平。VA3esmc
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