根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)最新调查，2018年第四季DRAM合约价格较前一季大幅修正约10%后，2019年由于个人计算机(PC)、服务器与智能型手机等终端产品需求疲软，因此DRAM主要供货商纷纷放缓新增产能的脚步，以期减缓价格跌势。
DRAMeXchange指出，与实际位生产量最相关的指标为各供货商的资本支出计划，而2019年DRAM产业用于生产的资本支出总金额约为180亿美元，年减约10%，为近年来最保守的投资水位。fVOesmc
其中，两家韩系厂商最先宣布将放缓2019年投资计划。市占最大的三星半导体(Samsung)2019年DRAM投资总金额约在80亿美元，主要用在先进制程(1Ynm)的持续转进以及新产品的开发。投片计划是三星近年来最保守的一次，目前决议终止平泽厂(Line18)扩产计划，将使2019年位成长达到历年新低，约在20%水位。fVOesmc
市占第二名的SK海力士(SK Hynix Semiconductor)2019年DRAM投资金额也降低到约55亿美元，主要用以持续转进新制程与提升良率为主。但由于中国无锡新厂才刚落成，因此该厂全年仍有约30~40K产能提升，根据DRAMeXchange计算，SK海力士2019年位成长约21%，稍微高过三星。fVOesmc
而市占第三的美光半导体(Micron)，近日才宣布下修2019年资本支出至约30亿美元，并且将2019年的生产位成长目标由原先的近20%下修至15%水位，以期改善库存持续升高的状况。而美光半导体目前不论是在瑞晶(台湾美光内存)、华亚科(台湾美光晶圆科技)、原Elpida广岛厂等都没有扩产计划，2019年投片水平维持在每个月350K的水平，而位成长将仅来自1Ynm的持续转进。DRAMeXchange认为，美光因为成本结构与两大韩系厂相较偏弱，因此对于承受价格持续下跌的空间较小，才会有较大动作的反应。在连续两年供给位成长都仅有15%的情况下，美光市占持续被压缩。fVOesmc
供货商放缓新增产能、避免削价竞争，以维持获利空间
从三大厂商下修2019年资本支出的营运方向可以看出，在寡占市场中由于没有新进竞争者的威胁，各供货商选择透过调整产出，来避免削价竞争。从获利表现来看，三星与SK海力士生产DRAM的毛利仍有近8成，美光也有6成以上的水平，因此各厂在获利仍丰厚的情况下，选择保守看待2019年的生产展望，也是较为合理的作法。fVOesmc
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DRAM产业资本支出与产能变化。(数据源：DRAMeXchange)fVOesmc
至于需求端，2019年第一季受到连假，以及淡季效应的影响，将会是最为疲弱的季度，而且目前也没有迹象显示第二季之后需求会有所改善。在中美贸易战持续延烧的大前提下，市场仍充满不确定性，基于上述供需预测，DRAM价格仍将逐季修正，2019年第一季价格下修幅度约为15%，第二季预期将收敛至10%以内，而下半年除非需求明显改善，否则价格仍将维持约5%的季度下修。fVOesmc
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