2018是不平静的一年。这一年里，电子元器件产业链经历了多次原材料缺货、物料供不应求涨价到供过于求跌价。内存市场也未能幸免，在2018年内存芯片大厂扎堆布局投资扩产，导致产能过剩，造成存储市场供过于求，导致了消费类存储产品跌幅过半，影响了企业利润……T3Fesmc
2018年，全球知名的内存芯片厂商三星、SK hynix、美光、TOSHIBA、英特尔等争相在创新技术上展开激烈竞争，更是在投资、建厂、扩产等方面拉开战局。T3Fesmc
三星电子在存储器上的投资在2018年降至99亿美元，其中DRAM投资81亿美元，NAND投资18亿美元。为了扩大下一代芯片和闪存的产能，SK海力士在2017的资本支出创下98亿美元的记录，曾计划将其2018年的资本支出增加到134亿美元。美光科技的资本支出也高达81亿美元，但低于上述两家制造商。T3Fesmc
2018年，三星得益于 1x nm DRAM和64层NAND产线的效率高于预期，DRAM和NAND位出货量增长率应该分别为25%和45%。据了解，三星计划在2019年位于平泽的晶圆厂开始量产10nm LPDDR 5芯片。T3Fesmc
SK hynix去年也宣布计划在韩国利川总部建造一座新的存储器工厂。这座工厂在2018年底开工建设，计划在2020年10月完工。SK hynix计划在这家新工厂投资31.2亿美元。此外，SK hynix还在继续扩大利川M14工厂的产能。它还计划于2018年9月底在完成其位于清州的新工厂的洁净室设备的安装，该工厂计划于2019年初投产。另外，在中国地区，SK hynix计划在2018年完成其在无锡工厂的扩建。T3Fesmc
美光准备在2018年至2019年在其台湾工厂扩大其10nm级别DRAM芯片的生产。美光位于中国台湾地区桃园县的工厂计划于2018年下半年进入1Xnm的生产并于年底迁移到1Ynm工艺节点上。其位于台中的工厂将在2019年下半年放弃1Xnm产品的量产后迁移到更新的1Znm工艺上。T3Fesmc
东芝存储器业务部门2018年在日本岩手县举行新型BiCS 3D NAND闪存工厂的奠基仪式，该工厂预计将于2019年年底完工，西部数据也参与了该项目。就在去年夏天，东芝计划在四日市开始启用其Fab6的第一阶段工厂。此举帮助其在未来几个月内增加BiCS 3D NAND闪存的产量，Fab6的第二阶段工厂预计于2019年进行部署。T3Fesmc
也许是战局过于激烈，市场行情预估不到位，以致于2018年内存厂商持续扩大内存芯片产出， 2018全年NAND Flash供应大幅度增加40%。T3Fesmc
可谁都没有想到，在2018年全年，三星、苹果智能型手机出货不及预期，国内手机市场竞争激烈，且部分出现销量下滑的情况，再加上英特尔PC处理器在Q3旺季缺货，北美数据中心在Q4订单大幅缩减等诱因，全球NAND Flash市场处于供过于求的状态，闪存卡价格跌价幅度过半；SSD价格跌幅达到56%；而消费型NAND Flash价格跌价幅度最大，价格同比下降最高65%。T3Fesmc
2018年全球智能型手机出货下滑2.7%至14.5亿台，中国市场智能型手机出货下滑15.5%至3.9亿台，在全球市占份额也下降至26.9%。T3Fesmc
为了改善市场的需求关系且最大限度的维持企业利润，各大厂纷纷下调2019投资预算，推迟先进技术的扩产计划，以及将NAND flash增长率下调来控制价格下跌的趋势。T3Fesmc
看到这里，也许有人会说，既然内存市场产能过剩，相关产品是否会持续降价的颓势？事实上，内存市场需求还是很大的，为什么呢？T3Fesmc
国际电子商情分析师认为，市场对存储芯片的需求空间还是很大的，芯片厂商在2019年做出的减少产能和推迟量产的计划后，预计内存芯片市场的供过于求的状态不会一直持续下去，但降价仍会是今年存储市场的关键词。T3Fesmc
随着人们的生活品质提高，层出不穷的新型产品正在出现在我们面前。除了手机，智能穿戴、家居终端、电视、行车记录仪这些生活刚需品以外，一些新兴起的的智能机器人、AI助手、还有智能音箱等产品都成为了炙手可热的热门产品。这些消费电子设备产品虽然不如手机、平板等搭载容量快速且大量消耗内存芯片产能，但仍有很大的内存需求。T3Fesmc
近几年国内智能硬件行业销量呈现爆发式增长，在物联网、云计算、人工智能等技术的不断发展下，差异化的智能产品层出不穷，且功能不断升级更新迭代快，内存芯片需求将不断增加。相信随着人工智能逐渐渗透到人们的生活，与云计算、大数据、移动互联网相融合后衍生的智能硬件产品被广泛应用，未来内存市场仍有广阔的市场前景。T3Fesmc
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