新IC可在整个负载范围内提供95%的高效率，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100W的功率输出。这一突破性的性能提升源自内部开发的高压氮化镓开关技术。QRMesmc
准谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一个表面贴装封装内集成了初级电路、次级电路和反馈电路。在新发布的系列器件中，氮化镓开关替换了IC初级的常规高压硅晶体管，这可以降低电流流动期间的传导损耗，并极大降低工作时的开关损耗。这最终有助于大幅降低电源的能耗，从而提高效率，使体积更小的InSOP-24D封装提供更大的输出功率。QRMesmc
新IC无需外围元件即可提供精确的恒压/恒流/恒功率，并轻松与接快充协议接口IC协同工作，因此适用于高效率反激式设计，例如，移动设备、机顶盒、显示器、家电、网络设备和游戏机的USB-PD和大电流充电器/适配器。InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP的电源特性可以通过改变硬件参数的方式进行配置，而InnoSwitch-Pro集成先进的数字接口，可通过软件实现对恒压和恒流的设置点、异常处理以及安全模式选项的控制。QRMesmc
PI总裁兼首席执行官Balu Balakrishnan表示：“在实现高效率和小尺寸方面，氮化镓是一项明显优于硅技术的关键技术。我们预计众多电源应用会从硅晶体管快速转换为氮化镓。自从我们在18个月之前推出硅技术新器件以来，InnoSwitch3已成为离线开关电源IC市场当之无愧的技术先行者，随着我们的反激式产品在效率和功率能力的提高，新的氮化镓IC进一步巩固了我们的优势地位。”PI全新的InnoSwitch 3 IC现已开始供货。QRMesmc
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