新一轮NAND Flash涨价开启，代理商提示“当心陷阱”

存储芯片是强周期性的芯片类型之一。 根据中国闪存市场数据，NANDFlash综合价格指数继2018年产生60%的跌幅后2019年初至6月又下跌35%。过于惨烈的跌幅下，各大原厂的NANDFlash业务无一例外全都处于亏损一线。pNaesmc

而自6月起连续几起大事件——东芝停电（约影响3%）和日韩贸易战（约影响7%），对存储芯片止跌反弹注入猛药，价格开始上扬。pNaesmc

价格走势，雾里看花

据公开数据显示，2019年Q1三星、SK海力士净利润同比大跌超过50%，西部数据和东芝存储器（TMC）甚至出现亏损。而东芝停电和日韩贸易战让低迷了许久的存储（DRAM、NANDFlash、NorFlash）市场出现供需大反转。pNaesmc

6月15日，日本四日市发生13分钟停电，对西数和TMC的晶圆和制造设备共造成3.39亿美金损失。本次事故将使其Q3闪存晶圆供应量减少6EB，约占Q3供应量的50%。pNaesmc

在东芝停电事件发生后，对市场消息较为敏感的闪存卡和U盘市场价格出现了松动，6月底部分闪存卡价格已出现涨价趋势。pNaesmc

同时，随着7月传统旺季的到来，美光数据中心客户库存大都恢复到正常水位，其也开始萌生涨价意愿。pNaesmc

而形势更为紧迫的是日韩贸易战的僵持，先是日本对韩国半导体材料的禁供，紧接着8月2日上午，日本批准通过《出口贸易管理令》，决定将韩国剔除获得贸易便利的“白名单”，并将于8月底实施。三星和SK海力士涨价趋势明显。pNaesmc

来自渠道的消息，自日韩贸易战消息面扩散以来，8G、16G eMMC等部分型号NANDFlash价格已上涨20%以上。以32G晶圆为例，之前价格跌破1.8美金，目前价格已回冲到2.2-2.3美金。以前90天的库存周转期，现在已回落到60天。pNaesmc

某存储代理商告诉《国际电子商情》分析师，日韩贸易战之前，NANDFlash原厂几乎都在亏本甩货，降价幅度高达30%以上，个别型号晶圆价格下滑了60%。除东芝外，大多数原厂都依靠DRAM平衡NANDFlash的亏损空间。pNaesmc

本轮涨价的幅度和力度备受业界关注，但该代理商表示难以做判断，因为此次涨价多是靠外部消息刺激而非真实的市场供需拉动，最终仍要看下半年需求和日韩贸易争端的进展。pNaesmc

“撇开日韩事件，目前存储严重供过于求，原厂的库存量依然高企。若日本对韩国解禁，价格有可能再次跌回反弹前。”他补充说。pNaesmc

深圳佰维存储科技股份有限公司（以下简称“佰维”）嵌入式事业部总监涂有奎认为，目前价格涨幅主要受东芝停电和日韩贸易纠纷的影响，若纷争短时间内难以得到解决，以三星和海力士为代表的韩系原厂在短期内产能削减在所难免，缺货效应将会逐渐放大，冲击全球存储市场。但当前形势仍有转机可能，对市场走向下定论还为时过早。pNaesmc

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深圳佰维存储科技股份有限公司嵌入式事业部总监涂有奎pNaesmc

代理商抛货，慎跟涨价潮

据韩媒报道，三星、SK海力士被禁材料库存仅1-3个月，而三星、SK海力士共占DRAM 65%、NANDFlash 46%的全球市场份额，若日对韩90天审核期内争端尚未解决，那么涨价效应会被无限放大。pNaesmc

事实上，在日韩事件之后的7月初，已有媒体放出消息称台湾存储巨头威刚等企业正在收紧库存，试图借助日韩贸易战改变颓势，但该代理商表示“不会跟进这个游戏”，相反会把以前的库存再抛掉一些，因为靠消息面囤货的风险太大，一不小心可能会是几十个点到100%的亏损。pNaesmc

“这周涨幅高达20%-30%，但从这两天的数据来看，上升后劲已经不够了。资金实力不足的代理商在‘假需求’时跳进去很难再出来。”某代理表示更看好5G成熟之后的市场需求。pNaesmc

据《国际电子商情》了解，Q3是传统旺季，部分代理商都在等待8月初价格上涨的力度，如果8月终端厂商的需求面拉大，这波涨势有可能冲到年底。届时，代理商再跟进则更为明智。pNaesmc

总的来说，大多数业界人士预计本轮涨价持续力度有限。正如某分析机构的预测，随着原厂下半年开始出货96层3D NAND，以及长江存储64层TLC的进度加快，届时NANDFlash产能将大量开出，恐怕还会抑制价格涨幅，正准备大量囤货的渠道商，仍需慎重对待真实市场行情。pNaesmc

原厂迂回扫货，格局或生变

日本自7月4日开始对韩国限制光刻胶、高纯度氟化氢和氟聚酰亚胺三大半导体核心材料。因这些材料存在保质期限，导致原厂难大量囤积库存。pNaesmc

“韩国自己也有氟化氢，只是浓度达不到日本的水平，生产出来的不良品会增加，但断供后也不可能停止运转，它们目前库存为1-3个月，短期内有减产的计划，但绝对不会致命。”某受访者分析称。pNaesmc

据《国际电子商情》了解，目前三星、海力士都在尝试其他的渠道扫货，如寻求其他供应商（中国）或日本供应商海外分支、合资公司、第三方迂回进口等方式来保证基本稳定供应，不过替代供应商在验证周期上至少需要 2-3 个季度。pNaesmc

日韩贸易战重创韩国存储业，市场点名台湾华邦可能因此得到转单效益。华邦对外表态称是自身一家业界相当特殊的公司，不做用于“大容量资料储存”的产品，而是专注在代码储存的应用，获取客户的订单生产。pNaesmc

华邦电子股份有限公司（以下简称“华邦电子”）闪存产品企划一部技术副理于纬良在“2019深圳物联网技术论坛”上接受《国际电子商情》采访时表示，华邦电子对DRAM、NANDFlash和NORFlash三种存储产品都有布局。未来华邦仍将聚焦于SLC NANDFlash和中高容量NOR Flash产品在代码储存市场应用。pNaesmc

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华邦电子股份有限公司闪存产品企划一部技术副理于纬良pNaesmc

从全球竞争格局来看，三星和SK海力士两家DRAM全球市场份额达到了七成，NANDFlash达到了五成，但受到日韩贸易争端的影响，三星和SK海力士短期内将元气大伤。目前SK海力士宣布减产15%，甚至传其欲收购英特尔大连厂来缓解材料供应压力。pNaesmc

日系企业情况也不乐观。“只有NANDFlash而没有DRAM业务来平衡亏损的东芝状况不佳，这好比之前的尔必达，也仅有NANDFlash单项业务，在对手的联合亏本跌价潮中丧失了抵抗力。”某受访者分析称。pNaesmc

从技术层面来看，随着几大原厂96层3D NAND开始量产，下半将开始新一轮技术军备竞争，三星不仅将量产第六代3D V-NAND（即120/128层）闪存，旗下Z-NAND SSD还将与东芝XL-Flash、英特尔及美光的3D XPoint抢攻数据中心市场份额。pNaesmc

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可以预见，自2020年开始，各大原厂为进一步降低生产成本、提升竞争力，将加快推进96层3D NAND向128层迈进，同时抢攻数据中心及高端市场份额，新的对决将正式开启。pNaesmc

从应用端来看，利润更高的车载、工控、大数据中心主要被几大巨头直接垄断，而代理商主要业务仍集中在消费类市场。相对而言，消费市场门槛低，技术支持难度小，但利润也低；车规、工业类市场利润高，但伴随的是技术难度高、验证时间长，需要更多的耐心与坚持。pNaesmc

国产存储崛起时机已到

随着半导体产业重心朝着亚太和中国转移，中国已发展成为全球最大的电子消费市场。这几年国内客户迅速成长，国产IC也日渐成熟，在贸易战的刺激下，以长江存储为代表的本土存储厂商成长迅速。pNaesmc

2019年存储价格波动剧烈，但仍有本土公司逆势增长，佰维就是其中之一。佰维涂有奎表示原因有二：一是客户结构的调整，随着佰维产品的口碑与品牌影响力不断强化，很多头部企业开始将业务向佰维倾斜；二是佰维业务取得了突破性进展，尤其是工控和消费类存储方面。pNaesmc

涂有奎认为，中国作为最大的存储需求地，本土企业的主场优势明显。在这样的背景下，佰维致力于打造自身的核心竞争力，为客户提供有高品质、高可靠性的存储产品和解决方案。佰维从成立至今已有24年，积累了大量的存储核心专利，拥有业内领先的存储算法及固件开发能力、突出的硬件设计能力、全方位的测试能力以及以SiP为核心的先进封装制造能力，是业内少数兼具芯片设计与封测制造能力的存储企业。另外，近百人的技术支持团队，可快速响应客户需求，充分发挥本土企业的服务优势。pNaesmc

涂有奎指出，在当前形势下本土存储企业若要在行业内稳健发展，首先需要凝聚自身的竞争优势，并与原厂形成错位互补，是谓“积跬步”；然后在细分市场不断深耕，为客户提供“客制化”和更具竞争力的产品和服务，不断扩大细分市场份额，是谓“致千里”。pNaesmc

除了佰维，江波龙也是本土较有实力的存储品牌之一，三星、海力士和美光都是其战略合作伙伴，2017年江波龙从存储大厂美光手上买下Lexar品牌，开始加大海外市场布局，更展露经营自有品牌的决心。pNaesmc

有受访者告诉《国际电子商情》，国产化替代最大的挑战是时间，且一定要获得展锐、海思、MTK等主控芯片厂商的支持。pNaesmc

国产存储品牌与长江存储的合作，也将促进国产存储快速崛起。日前江波龙已采用长江存储的3D NAND芯片生产U盘，期待新一代的64层3D NAND芯片技术量产后，江波龙与长江存储将进一步推动国内自研存储芯片大规模商用。pNaesmc

5G将成为全新拉动力

数据调研公司WSTS预测今年所有类型的半导体产业都会有所下降，其中存储跌幅预计高达30.6%，不过到2020年，半导体市场会转向增长，预计增幅为5.4%。pNaesmc

佰维涂有奎认为，日韩贸易战并不是死局，行业格局将面临洗牌，但向好的大势不可逆转。即将到来的5G开始撬动巨大的市场需求，真实的市场供需会逐步达到平衡，触底反弹已可预见。pNaesmc

他表示，2019年下半年5G商用将全面铺开，数据基础设备、IoT、智慧城市建设等需求旺盛，数据存储需求必然以几何级的速度爆炸式增长，现有的存储设备也将迎来大规模升级换代，这些都会对存储市场产生强劲拉力。pNaesmc

某代理商也表示5G是全新的机会，随着数据交换的力度和密度增加，智慧城市、智能家居、IOT等，对存储速度、容量提升的要求越来越高，DDR4、DDR4X及更快速率的产品会出来，沉默的AR/VR也会随着5G的到来快速起量。pNaesmc

华邦于纬良也认为5G基站对NANDFlash的需求机遇大显，目前少数厂商已在布局，IoT的需求也一直在成长，同时，智能音箱、TWS真无线耳机、早教机器人等对高容量Flash的需求大增，而华邦的机遇在于512M-2Gb大容量代码储存的NOR和NAND Flash，目前技术储备很充分。pNaesmc

据了解，去年华邦在高雄新建了一座12寸的晶圆厂，用于扩大产能。于纬良表示，目前看好未来市场对Flash的需求会一直增长，特别是IoT、车联网、AI应用与消费终端对大容量Flash的需求增长迅猛。pNaesmc

整体而言，今年Q3是存储市场传统旺季，随着下半年英特尔中央处理器（CPU）的供货顺畅，以及智能手机展开芯片出货拉力，DRAM及NAND Flash的出货量将走向乐观面，而5G、AI、IoT等新兴应用也正蓄势待发，时刻准备着承接刺激存储稳健发展的“接力棒”！pNaesmc