据证券和半导体行业消息人士透露，三星电子计划在明年将内存芯片设施的资本支出增加至65亿美元（合462亿元人民币），预计增加的部分资金将用于其位于西安的第二家半导体工厂。此外，三星电子将在年底宣布这项投资计划。VFfesmc
此前，在2014年竣工的三星西安工厂，已经完全实现产能满载，仍然无法满足NAND闪存供应需求。2017年8月，三星电子与陕西省政府签署了建设二工厂的谅解备忘录。三星还表示，计划在2020年为止的三年内投资一工厂和二工厂共计70亿美元（8.38万亿韩元）。VFfesmc
按照“三年之约”，三星必须在明年8月前完成投资，还要全面运营西安二工厂的生产线。据了解，三星西安二工厂的新生产线设备已安装完毕并已经开始试运行，预计明年2月可以实现量产。VFfesmc
业内人士认为，三星电子的额外投资计划将为当前供过于求的NAND闪存市场带来更多不确定性，并且可能成为竞争加剧的NAND市场的差异化战略。VFfesmc
与DRAM不同，NAND闪存市场正在逐渐显示出复苏的迹象。DRAMeXchange的数据显示，上个月底，128Gb多级单元（MLC）NAND闪存产品的价格为4.11美元（4,918韩元），与上个月相比变化不大。该数字在7月底两年来首次上升，8月也增长了2％以上。VFfesmc
报道指出，目前在NAND闪存市场上，三星电子、东芝、西部数据、美光、SK海力士和英特尔之间竞争激烈，但尽管三星电子的加码投资和扩张生产不会对市场产生太大影响，一方面由于其他公司正在减产，三星电子也可以因此获得更多的市场份额。VFfesmc
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责任编辑：ElaineVFfesmc
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