国内IGBT产业链23家主要企业盘点

IGBT ，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，适用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。KRNesmc

据百科显示，IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，其在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。KRNesmc

中国作为全球最大的IGBT需求市场，目前的主要市场份额被欧美、日本企业所占据。不过，由于集成电路已经成为国家战略性新兴产业，国内的一些企业在经过多年努力，已建立起完整的IGBT产业链。国际电子商情小编整理了国内IGBT产业链主要企业，具体见表：KRNesmc

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IDM

IDM的意思是国际整合元件制造商，是Integrated Device Manufacturing的英文缩写。KRNesmc
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在过去，国际IDM大厂几乎所有产品都一手包办，也正因为每项产品都要沾上一点边，但每项产品未必都能做到大量，占有最大市场占有率。这几年，随着国家政策及重大项目的推动，国内IGBT产业得到了迅速发展。KRNesmc

比亚迪微电子KRNesmc

官网：https://www.byd.com/KRNesmc

2003年，比亚迪成立深圳比亚迪微电子有限公司（即其“第六事业部”），致力于集成电路及功率器件的开发并提供产品应用的整套解决方案，其IGBT的研发制造主要由比亚迪微电子负责。2005年，比亚迪正式组建IGBT研发团队，并于2007年建立IGBT模块生产线，完成首款电动汽车IGBT模块样品组装。KRNesmc

目前，比亚迪已相继掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，拥有IGBT完整产业链。KRNesmc

士兰微KRNesmc

官网：http://www.silan.com.cn/KRNesmc

杭州士兰微电子股份有限公司成立于1997年，从集成电路芯片设计业务开始，逐步搭建了特色工艺的芯片制造平台，并已将技术和制造平台延伸至功率器件、功率模块和MEMS传感器的封装领域，建立了较为完善的IDM经营模式。KRNesmc

目前，士兰微5英寸、6英寸芯片生产线已稳定运行，8英寸芯片生产线也顺利投产，陆续完成了高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅 MOSFET、快回复二极管、MEMS传感器等工艺的研发。KRNesmc

华微电子KRNesmc

官网：http://www.hwdz.com.cn/KRNesmc

吉林华微电子股份有限公司成立于1999年，集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体，官网信息显示其拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年400万片，封装资源为24亿只/年，模块360万块/年。KRNesmc

今年4月，华微电子拟募投8英寸生产线项目，600V-1700V各种电压、电流等级IGBT芯片是该项目的重点之一。KRNesmc

华润微KRNesmc

官网：https://www.crmicro.com/KRNesmc

华润微电子即原中航（重庆）微电子有限公司，集半导体设计、研发、制造与服务一体化，以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础，面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台。KRNesmc

华润微拥有国内第一条全内资8英寸专注功率器件晶圆生产线，月产能5.1万片，工艺能力0.18微米，以及一条8英寸特种工艺生产线。目前该公司已启动12英寸晶圆生产线及相关配套封测线建设规划，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。KRNesmc

扬杰科技KRNesmc

官网：http://www.21yangjie.com/KRNesmc

扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月，致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展，主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。KRNesmc

据了解，在IGBT方面扬杰科技于2018年3月控股了一条位于宜兴的6英寸晶圆线，目前该生产线已经量产IGBT芯片，主要应用于电磁炉等小家电领域。扬杰科技在互动平台上表示，2018年度，公司IGBT芯片实际产出近6000片。KRNesmc

台基股份KRNesmc

官网：http://www.tech-sem.com/KRNesmc

湖北台基半导体股份有限公司成立于2004年，是是国内大功率半导体器件领域为数不多的掌握前道（扩散）技术、中道（芯片制成）技术、后道（封装测试）技术，并掌握大功率半导体器件设计、制造核心技术并形成规模化生产的企业。KRNesmc

台基股份的主营产品为功率晶闸管、整流管、IGBT 模块、电力半导体模块等功率半导体器件，其早于5年前开始了IGBT模块的研发，目前基本具备IGBT设计、封装测试的能力。近期，台基股份定增募投“新型高功率半导体器件产业升级项目”，其中包含了月产4万只IGBT模块封测线。KRNesmc

中车时代电气KRNesmc

官网：http://www.tec.crrczic.cc/KRNesmc

株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年，其现已形成了集IGBT产品设计、芯片制造等成套技术研究、开发、集成于一体的大功率IGBT产业化基地。KRNesmc

2008年，中车时代电气（当时名为“南车时代电气”）收购全球IBGT厂商丹尼斯，2009年建成国内首条高压IGBT模块封装线，自2010年开始着手筹建国内首条专注于IGBT芯片的先进生产线。KRNesmc

科达半导体KRNesmc

官网：http://www.kedasemi.com/KRNesmc

科达半导体有限公司成立于2007年，是由科达集团投资成立的高新技术企业，主要从事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半导体器件（电力电子器件）的设计、生产和销售，在深圳、浙江、山东等地区均设有销售中心。KRNesmc

模组

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。KRNesmc

银茂微电子KRNesmc

官网：http://www.njsme.com/KRNesmc

南京银茂微电子制造有限公司成立于2007年11月，是江苏银茂（控股）集团有限公司控股公司。官网介绍称，该公司一期项目以研发、制造和销售拥有自主知识产权的新型电力电子模块、全气密半气密高可靠性混合电路电子器件、大规模变流技术核心组件为主营业务，具备年产通用功率模块65万件和高压大KRNesmc

率模块10万件以上的生产能力，是目前国内最大的电力电子功率模块生产基地之一。KRNesmc

芯能半导体KRNesmc

官网：http://www.invsemi.com/KRNesmc

深圳芯能半导体技术有限公司成立于2013年，由深圳正轩科技、深圳国资委、深圳人才创新基金、达晨创投、方广资本、厦门猎鹰等知名机构联合投资，致力于IGBT芯片、IGBT驱动芯片以及大功率智能功率模块的研发、应用和销售。KRNesmc

目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT产品，IGBT单管、IPM、IGBT模块和HVIC四个领域都有完善的产品序列，产品性能国内领先。KRNesmc

嘉兴斯达KRNesmc

官网：http://www.powersemi.cc/KRNesmc

嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体元器件尤其是IGBT模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业，其主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，已成功开发近600种IGBT模块产品，电压等级涵盖100V～3300V，电流等级涵盖10A～3600A。KRNesmc

在技术方面，嘉兴斯达已开发出平面栅NPT型1200V全系列IGBT芯片和沟槽栅场中止650V、750V、1200V及1700V全系列IGBT芯片，解决了包括8英寸晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火激活技术以及沟槽栅挖槽成型技术等关键工艺技术。KRNesmc

宏微科技KRNesmc

官网：http://www.macmicst.com/KRNesmc

宏微科技股份有限公司成立于2006年8月，立足于电力电子元器件行业，业务范围包括设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块(CSPM)，并提供高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案。KRNesmc

2018年，宏微科技与北汽新能源成立宏微－北汽新能源IGBT联合实验室，计划从芯片设计到模块设计与封装再到电机控制器设计与生产，联合打造电机控制器产业链。宏微科技年报显示，2018年其电动汽车用IGBT模块在SVG行业应用中逐步放量，同时客户定制化产品也开始批量销售。KRNesmc

威海新佳KRNesmc

官网：http://www.singa.cn/KRNesmc

威海新佳电子有限公司成立于2004年，注册资本2000万元，是专业从事新型电力电子器件及其应用整机产品设计、研发、生产、销售的国家高新技术企业。KRNesmc

威海新佳是IGBT国家标准和交流固态继电器行业标准起草单位之一，建有“国家高技术产业化示范工程”IGBT生产线、山东省电力电子器件工程技术研究中心，并先后承担过国家发改委新型电力电子器件产业化专项项目、工信部电子发展基金项目等多项国家和省部级项目。KRNesmc

设计

紫光微电子KRNesmc

官网：http://www.tsinghuaicwx.com/KRNesmc

无锡紫光微电子有限公司（原无锡同方微电子有限公司）成立于2006年，是紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。KRNesmc

紫光微电子开发和生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力/电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。IGBT方面，其以IGBT实际应用为设计基础，使用NPT（非穿通型）和沟槽型FS（场终止型）IGBT技术为大功率应用客户提供优质可靠的系统解决方案。KRNesmc

无锡新洁能KRNesmc

官网：http://www.ncepower.com/KRNesmc

无锡新洁能股份有限公司成立于2013年，主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发设计及销售，主要产品按照是否封装可分为芯片和封装成品，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备 制造、物联网、光伏新能源等领域。KRNesmc

目前，无锡新洁能的主要产品包括12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。KRNesmc

芯派科技KRNesmc

官网：http://www.semipower.com.cn/KRNesmc

芯派电子科技有限公司成立于2008年，是一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业，产品包含低压至高压全系列MOSFET、IGBT、二极管、桥堆以及电源管理IC等。芯派电子的总部位于西安，拥有省级重点实验室西安半导体功率器件测试应用中心。KRNesmc

据了解，芯派科技自2016年研发出应用于1200V/900V/650V的IGBT功率器件，产品性能指标达到和国外同类产品的技术性能。KRNesmc

中科君芯KRNesmc

官网：http://www.cas-junshine.com/KRNesmc

江苏中科君芯科技有限公司成立于2011年，是一家专注于IGBT、FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技企业。其前身是中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、中国物联网研究与发展中心以及成都电子科大的三个研究团队，最早始于上世纪80年代。KRNesmc

中科君芯目前形成具有市场竞争力的产品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片，并拥有222项专利，其中PCT专利12项。IGBT技术方面，中科君芯已开发出沟槽场终止（Trench -FS）电压650V-6500V、单芯片电流8A-400A全系列IGBT芯片，成功解决了沟槽栅沟槽成型技术、载流子增强技术、晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火技术等关键工艺技术。KRNesmc

达新半导体KRNesmc

官网：http://www.daxin-semi.com/KRNesmc

宁波达新半导体有限公司成立于2013年，是以海归博士为主创立的一家中外合资的高科技公司，主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，拥有IGBT、MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，建有IGBT产品性能测试、应用及可靠性试验室，拥有一条测试和制造手段完备IGBT模块研发生产线。KRNesmc

制造

华虹宏力KRNesmc

官网：https://www.huahonggrace.com/KRNesmc

上海华虹宏力半导体制造有限公司由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成，是全球首家提供场截止型绝缘栅双极型晶体管（FS IGBT）量产技术的8英寸集成电路芯片制造厂。KRNesmc

华虹宏力自2011年起就已成功量产了1200V非穿通型（NPT）IGBT；2013年600V-1200V FS IGBT实现量产，随后与多家合作单位陆续推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺，成功解决了IGBT的关键工艺问题，包括硅片翘曲及背面工艺能力等。据悉目前华虹宏力是国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工企业，同时正在加速研发6500V超高压IGBT技术。KRNesmc

先进半导体KRNesmc

官网：http://www.asmcs.com/KRNesmc

上海先进半导体制造股份有限公司，前身为1988年由中荷合资成立的上海飞利浦半导体公司，拥有5英寸、6英寸、8英寸晶圆生产线，专注于模拟电路、功率器件的制造，自2004年开始提供IGBT国内、外代工业务。KRNesmc

上海先进2008年在国内建立IGBT背面工艺线，具备IGBT正面、背面、测试等完整的IGBT工艺能力，IGBT/FRD的电压范围覆盖650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V，技术能力包括PT、NPT、Field Stop，以及平面、沟槽IGBT等。其6英寸晶圆厂专注于平面IGBT和FRD工艺平台，电压覆盖1200V~6500V，8英寸晶圆厂专注于Trench Field Stop IGBT工艺平台，电压覆盖450V~1700V。KRNesmc

中芯国际KRNesmc

官网：http://www.smics.com/KRNesmc

中芯国际集成电路制造有限公司是中国内地技术最全面、配套最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业，提供0.35微米到28纳米8寸和12寸芯片代工与技术服务。KRNesmc

中芯国际的IGBT平台从2015年开始建立，着眼于最新一代场截止型IGBT结构，采用业界最先进及主流的背面加工工艺，包括Taiko背面减薄工艺、湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等，已完成整套深沟槽+薄片+场截止技术工艺的自主研发，并相应推出600V~1200V等器件工艺，技术参数可达到业界领先水平。KRNesmc

方正微电子KRNesmc

官网：http://www.founderic.com/KRNesmc

深圳方正微电子有限公司成立于2003年，由方正集团联合其他投资者共同创办，专注于为客户提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成电路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等领域的晶圆制造技术。KRNesmc

方正微电子拥有两条6英寸晶圆生产线，月产能达6万片，产能规模居国内6英寸线前列，0.5微米/6英寸工艺批量生产能力跃居国内行业第二，未来月产能规划将达8万片。IGBT方面目前支持430V、600V Trench PT IGBT以及1200V、1700V Planar NPT IGBT等工艺及时。KRNesmc

华润上华KRNesmc

官网：http://www.csmc.com.cn/KRNesmc

无锡华润上华科技有限公司隶属于华润集团旗下负责半导体业务的华润微电子有限公司。华润上华向客户提供广泛的晶圆制造技术，包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等标准工艺及一系列客制化工艺平台。KRNesmc

华润上华拥有国内最大的6英寸代工线和一条8英寸代工线，6英寸月产能逾11万片，八英寸生产线目前月产能已达3.5万片，未来整体月产能规划为6万片，制程技术将提升至0.11微米。IGBT方面，华润上华于2012年已宣布开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工艺平台。KRNesmc