全球DRAM投片仅成长4%，明年三巨头仍无大规模新增产能

芝奇国际为全球高端电竞内存领导品牌，多年来透过独特的极限超频技术，将每一世代硬件效能发挥至极限，不仅提供电竞玩家更高性能内存产品，也同时树立下一世代高端硬件的规格标竿，成为加速人类科技进化的推手。iFzesmc

DDR5即将问世，内存速度及容量势必再做提升，如何能持续开发出更高性能产品以满足电竞玩家需求，将会是各大存储厂商如何于电竞市场致胜的关键。iFzesmc

叶茂盛：2020年智能手机发展与存储市场趋势分析

图5：集邦咨询DRAMeXchange分析师  叶茂盛iFzesmc

智能手机市场已经发展进入高原期，加上硬件创新幅度有限的因素，2020年生产量将大致持平，其中行动装置存储需求除传统上消费者越换越大的预期以外，明年受到5G手机渗透率提升影响，所需传输速度与容量要求皆有提升，在嵌入式产品界面方面，eMMC 5.1已难以负荷5G时代的基本传输要求，加上价格的诱因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速渗透，促使行动装置市场闪存位元出货成长达到32%，较2019年不到30%改善，也有助于整体闪存市场需求有较佳成长表现。iFzesmc

徐征：利基型DRAM市场趋势分析

图6：晋华集成副总经理  徐征iFzesmc

目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要应用于消费型电子产品。2019年DRAM市场供过于求，各大DRAM业者通过降价减产的方式降低库存水位，同时三大DRAM业者重新调整产线，加速1Znm制程，带动利基型DRAM的规格朝向DDR4迈进。iFzesmc

需求端，目前利基型DRAM的位需求量持续提升已是市场共识，而中国庞大市场需求是中国DRAM制造业者们的商机所在；供给端，在三大供应商加速利基型DRAM规格迭代情况下，市场上普遍认为消费型电子市场DDR4及LPDDR4的渗透率将逐年提升。iFzesmc

然而，大部分的消费型电子产品并不需要如此快速的规格转型，加上中国已领先全球着手布建5G系统，更有利于杀手级应用的产生，在此情形之下，倘若中国DRAM业者能够补足需求缺口，满足当下市场的需求，势必能减缓终端应用厂商面临被迫转换的压力，这将是中国DRAM业者成长的好机会。iFzesmc

吴元雄：存储技术与解决方案发展

图7：力晶积成电子存储器事业群总经理  吴元雄iFzesmc

传统计算器架构中，动态随机存取存储器带宽是受限的。在一些存储器存取频繁的应用中，处理器往往会因带宽受限，无法获得充分数据进行有效运算，这就是所谓“内存墙”或 “memory wall”问题。iFzesmc

力晶积成电子身为专业晶圆代工厂，除了逻辑晶圆代工之外，也是业界唯一专业动态随机存取存储器晶圆代工厂。力晶积成电子特此综合这两项专长，针对深度神经网络应用，开发了AIM（AI Memory）平台，旨在解决内存墙问题。iFzesmc

力晶积成电子AIM平台，乃基于力晶先进之动态随机存取存储器制程技术，可用于制作各式深度神经网络加速电路。由于加速电路直接植入动态随机存取存储器阵列旁，如此加速电路可享有超高动态随机存取存储器带宽，完全解决内存墙问题。并且由于无需传统外部存储器接口，外部接口传输所导致之功耗及延迟也一并免除。iFzesmc

刘家豪：IT基础架构转型驱动存储器市场新纪元

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图8：集邦咨询DRAMeXchange资深分析师  刘家豪