G l o b a l F o u n d r i e s 采用F D -S O I 的意向最早要追溯到2 0 1 2 年与意法半导体签署的授权协议， 在意法2 0 / 2 8 n m F D - S O I 工艺基础上，GlobalFoundries开发一种包含四种工艺的22纳米FD-SOI平台。那是在首席执行官Sanjay Jha 2014年初就任CEO之前。XLVesmc
最初的计划是，GlobalFoundries充当意法半导体开发的28纳米FD -S O I 工艺的授权代工供应商， 后来，GlobalFoundries一直不断投入工程技术来开发22纳米的四种工艺变种，面向仅次于最先进的应用。当前最前沿的应用是采用14nm FinFET工艺。XLVesmc
“ 过了2 8 纳米， 摩尔定律面临诸多挑战， 而业界面临一个选择：FinFET或FD-SOI。我们在美国的晶圆厂拥有14nm FinFET工艺，通过收购I B M M i c r o e l e c t r o n i c s ，我们将来可以做到7纳米。”Jha表示，“FinFET非常适合高成本、大批量和高性能的应用。但物联网与移动通讯领域有许多应用，要求较低的功耗。”XLVesmc
“22纳米工艺克服了28纳米节点上遇到的一些挑战。晶体管特性较好， 晶粒尺寸缩减2 0 % ， 弥补了基板的成本上升。”Jha表示，“这意味着， 我们能够提供更好的性能，而成本与28纳米(FD-SOI)一样。”英特尔与台积电拒绝采用FD-SOI工艺，对FinFET情有独钟，经常给出的一个理由就是SOI晶圆成本高于硅晶圆。XLVesmc
但是，GlobalFoundries公司利用了FD-SOI提供的一种可能性，即通过反向偏压来改变晶体管的阈值电压与工作特性，甚至可以允许客户动态调整这些特性。而在FinFET结构下很难做到这点。XLVesmc
Jha给出的第二个理由是，市场与客户的需求不断变化。Jha表示：“三年前28纳米还是最先进的工艺。当时我们没看到市场对28nm FD-SOI有什么需求。而现在我们确实看到了需求，而且我们缩小了该工艺的尺寸，市场也向前发展了。”XLVesmc
J h a指出，入门级与中档手机应用不需要最高的性能，但仍对电源效率高度敏感。同样，许多物联网应用只需很少的原始处理能力，但要求大幅降低功耗。“市场现在要求超低功耗。我们认为，我们可以利用我们的技术把智能手表电池续航时间延长到原来的四倍。”XLVesmc
将用于欧洲工厂XLVesmc
2 2 n m F D - S O I 工艺将在G l o b a l -Foundries位于德国德累斯顿的晶圆厂投入使用。该工艺就是在这里宣布推出的。Jha表示，公司从德国萨克森州得到了一些支持，而且正在就这项技术“咨询”德国政府。但Jha表示，欧盟并没有向GlobalFoundries公司提供鼓励措施， 以促使其采用FD-SOI工艺并将其放在欧洲。XLVesmc
德累斯顿工厂的年产能约为60～70万个初制晶圆。“我们希望提高到100万个。”Jha表示，FD-SOI和物联网对于维持德累斯顿晶圆厂十分重要，对于促进欧洲半导体与电子产业的未来发展也非常关键。XLVesmc
虽然FD-SOI可能被定性为适合新摩尔定律应用，FinFET被定性为适合摩尔定律的前沿应用，但Jha明确指出，新摩尔定律(More-than-Moore)现在应该被视为主流，而不是支流。“大众工艺处于28nm/22nm节点，其实最先进的纯数字才是利基工艺。”Jha表示。XLVesmc
他认为，高成本前沿工艺才是真正的利基工艺，通常为数据中心或者高计算负载应用，尽管是每年有数亿个规模的利基工艺。而且以前驱动半导体产业成长的那些市场，比如PC和智能手机，已经后继乏力。Jha表示，未来成长动力将来自物联网。XLVesmc
J h a 拒绝谈论可能已经签约计划使用GlobalFoundries公司22nm22FDX平台的客户，包括客户名称及数量。由于设计套件刚开始提供，因此客户将要再过18个月左右才能得到商业硅片。Jha说：“我们对于市场接受情况非常满意。” EXLVesmc
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