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“新基建”应用，需要高速且稳定可靠的存储芯片作数据站点。大容量存储芯片方面，国内存储芯片厂商的技术和生产工艺与境外大厂有较大的差距。国内当前可量产的3D NAND产品与国外知名企业之间存在1至2代的技术差距，这要求国内厂商更专注对存储容量的提升和制造工艺技术的累积。Hk8esmc
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图2 各种存储器分类 来源：国际电子商情Hk8esmc
小容量存储也将迎来更大的机遇。日前，在ASPENCORE主办的中国IC领袖峰会上，芯天下执行副总裁王彬称，“新基建”中的多个领域都涉及到小容量的Flash。比如：高特压产业/电力行业对PLC、智能电表的更新和换代，会带来NOR Flash的需求；智能制造、智能家居、智能安防、智能医疗等，会拉动小容量NOR Flash和SLC NAND Flash的需求；5G基站建设需要用到多颗512Mb-1Gb的NOR Flash等。Hk8esmc
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芯天下执行副总裁王彬Hk8esmc
王彬还从存储企业的供应能力来分析：“观察全球NOR Flash大厂，美国的赛普拉斯和美光自2017年起宣布逐渐减产NOR Flash，甚至放弃了中小容量的NOR Flash；SLC NAND Flash头部厂家的SLC NAND产能在每年递减，美国美光和日本铠侠的重心已经转向大容量3D NAND、DRAM。实际上，国际大厂的退出给了国内代码型存储厂商补位的机会。”Hk8esmc
代码存储在全球的市场规模已经超过50亿美金，万物互联的趋势会持续强化这个趋势，而国产存储设计和制造企业的总体市占率还不到15%，随着供应链国产化成为趋势，国产代码存储的市占率将进一步扩大。对此，艾康林介绍说，芯天下关注大数据生态链的发展，挖掘数据快速读写、实时分析与反馈领域的商业价值。目前，芯天下的技术投入已取得市场的认可。Hk8esmc
陈磊说：“东芯半导体聚焦中小容量NAND Flash、DRAM及低功耗中高容量NOR Flash。我们成功量产了38nm/24nm NAND Flash，65nm 1.8v低功耗产品、48nm SPI NOR Flash，8Gb SLC NAND Flash，低功耗移动式DRAM。基于DRAM和NAND Flash，还推出了MCP存储器，主攻功能手机及4G/5G物联网模块市场。”Hk8esmc
·国产存储供应链成型
去年9月，国家大基金负责人透露，一期主要是完成半导体产业布局，二期将推动刻蚀机、薄膜设备等领域的龙头企业做大做强，并加快化学机械研磨设备等核心设备和零部件的投资布局。这对中国存储产业而言，也具有非常重要的意义。Hk8esmc
陈磊表示，得益于政策的扶持作用，中国存储市场已形成较完善的国产化产业链。在大容量存储领域，有长江存储和合肥长鑫等IDM公司，前者主攻3D NAND Flash，后者主攻DRAM。小容量存储芯片也百花齐放，在SLC NAND Flash和NOR Flash方面，有多家拥有自主知识产权的大陆厂商。在晶圆测试、IC封测环节，有天水华天、紫光宏茂、江阴长电、苏州力成、利扬芯片等供应链企业。Hk8esmc
随着资本市场对存储器公司日益关注，未来国内也可能出现中小容量存储器IDM上市公司——采用类似中国台湾的旺宏、华邦的模式，利用自有产能、工艺等优势，聚焦2D NAND Flash、NOR Flash和利基型DRAM的存储器公司。Hk8esmc
艾康林强调国产存储产业是国家大基金的受益者，在国产代码储器NOR Flash和数据存储NAND Flash方面都有企业脱颖而出。NOR Flash、SLC NAND、3D NAND的上游制造代工和IDM正围绕先进工艺积极扩产，争取努力缩小中国制造工艺与世界领先水平之间的差距。同时，科创板的加速发展也为存储器设计企业打开了低成本融资渠道。未来，计划上市融资的国产存储器公司数量会持续增加。国产存储企业也将逐渐走出去，更开放地推动技术合作与创新。Hk8esmc
黄士德立足于2020年的存储市场，他看到中国正大力发展存储产业生态链，在3D NAND及DRAM技术上急起直追。“长江存储只用了3年，就实现了从32层到64层，再到128层的跨越，并通过了应用市场的验证。为此，慧荣科技也积极部署，我们的全系列主控均支持长江存储的3D NAND。”Hk8esmc
产业链企业要各司其职
中国电子厂商正在聚焦国内供应链，加快采购国产半导体器件。这是整个生态链条的国产化，将加速中国存储产业链的崛起。不过，存储的产业链较长，涉及材料、设计、制造、封测等多个环节，且每个环节的技术节点不同，这要求该链条上的公司各司其职。Hk8esmc
SSD主控芯片对技术的要求非常高。首先，主机数据无法直接写入闪存，需要闪存主控将主机处传来的地址进行转换，再将数据快速写入。主控要协调和维护不同区块颗粒的协作，且要求在不同的使用场景中都能有优异的表现；其次，NAND闪存较容易耗损，如何通过平均耗损技术使得耗损平均化，在闪存出现不可预测的错误模式时，主控芯片能补偿它以避免数据丢失。这些技术都要依靠存储主控芯片厂商。Hk8esmc
黄士德说，慧荣科技拥有超过20年的NAND Flash主控芯片设计开发经验。具备从闪存卡、U盘，到手机eMMC与UFS，再到SATA、PCIe SSD的主控芯片量产能力，其产品支持96层、128层3D NAND的硬件与固件，在智能手机、个人电脑、资料中心、商业及工控应用等领域均有较好的表现。
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