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表1 SiC产业链信息汇总（部分）kVpesmc
从产业链角度来看，SiC包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节。kVpesmc
在外资产业链中，单晶衬底主要以美日欧供应商为主，比如来自美国的Cree、Dow Corning、II-VI，来自日本的SiCrystal、新日铁住金，来自欧洲的Norstel（被ST收购）。外延片供应商主要有Dow Corning、Cree、英飞凌（德），日本的罗姆、三菱电机，Norstel。SiC器件代表厂商主要有欧洲的ST、英飞凌（CoolSiC™ MOSFET）、Cree，罗姆等。kVpesmc
国内SiC产业链中，在材料、器件方面的竞争格局初显。kVpesmc
首先，SiC单晶和外延片环节相对较成熟。国内单晶衬底供应商有：山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能、中电科装备等。在这些厂商的共同努力下，国内开发出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底；国内的瀚天天成、东莞天域半导体、国民天成等企业可提供4-6英寸外延片，中电科13所、中电科55所外延片不对外供应。kVpesmc
其次，在SiC模块、器件制造环节，国内出现一批较为优秀的企业。代表厂商有：三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代等（详细名单见表2）。kVpesmc
虽然SiC产业链已初步成型，但是SiC存在良率问题，使得SiC器件的成本过高。目前，同一级别的SiC MOSFET的成本约是IGBT的8-12倍，在其耗损也大于IGBT。总的来说，硅基IGBT的性能约为SiC MOSFET的9成，但前者的价格却是后者的四分之一左右。kVpesmc
很显然，在短期内我们不会看到SiC大量替换IGBT的局面。而下游汽车市场的需求已经迫在眉睫，我们预期，IGBT在未来5年内仍有较大的发展潜力。kVpesmc
本文为《国际电子商情》2020年12月刊杂志文章，版权所有，禁止转载。免费杂志订阅申请点击 这里kVpesmc
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