3月新品推荐（下）：解决方案篇

AI模块

3月18日，凌华科技推出首款搭载恩智浦半导体新一代i.MX 8M Plus SoC的SMARC 2.1版AI模块（AI-on-Module，AIoM），LEC-IMX8MP。LEC-IMX8MP在紧凑型设计中集成了恩智浦半导体的NPU、VPU、ISP和GPU计算，适用面向未来的工业AIoT/IoT、智能家居、智慧城市等人工智能应用。R5Eesmc

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强大的四核Arm® Cortex®-A53处理器配备NPU，运行频率高达1.8 GHz，可为边缘机器学习推理提供高达2.3 TOPS的算力，适用于需要集成机器学习、视觉系统与智能传感等以实现工业决策的应用。R5Eesmc

LEC-IMX8MP SMARC模块特点：R5Eesmc

• LVDS/DSI/HDMI显示输出，双CAN总线/USB 2.0/USB 3.0，双GbE端口（其中一个支持TSN）和音频接口I2S—功率范围通常低于6瓦；
• 坚固型设计可支持-40°C至+85°C的工作温度范围，防高度冲击且耐振，可满足严苛的工业应用对可靠性的要求；
• 为Debian、Yocto和安卓提供标准BSP支持，包括MRAA硬件抽象层（HAL），工程师可将在Raspberry Pi或Arduino环境中编写的模块、传感器HAT和端口代码转化为I-Pi；
• 恩智浦半导体eIQ机器学习软件可基于CPU内核、GPU内核和NPU进行连续推理。支持Caffe、TensorFlow Lite、PyTorch和ONNX模型。支持MobileNet SSD、DeepSpeech v1和分段网络等模型。Arm NN已完全集成Yocto BSP并支持i.MX 8。

LEC-IMX8MP SMARC 2.1模块可助力实现构建智能世界所需的边缘智能、机器学习和视觉应用，是人工智能应用的理想平台，无需依赖云端并可保护个人隐私。其目标应用包括智能家居和家居自动化、智慧城市、物流、医疗诊断、智能楼宇、智能零售、以及包括机器视觉、机器人技术和工厂自动化等的工业IoT。R5Eesmc

LoRa产品组合

3月初，Semtech宣布推出LoRa Core™产品组合，以及该系列的一个全新芯片组。LoRa Core产品组合可在全球范围内提供LoRaWAN®网络覆盖，其应用可面向多个垂直行业，包括资产追踪、智能楼宇、智慧家居、智慧农业、智能表计、工厂自动化等。R5Eesmc

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LoRa Core产品组合由sub-GHz收发器芯片、网关芯片和参考设计组成。包括SX126x系列、SX127x系列和LLCC68收发器芯片；SX130x系列网关芯片；传统网关参考设计以及LoRa® Corecell网关参考设计。它们都具备Semtech LoRa器件的基本功能，包括远距离、低功耗和低成本的端到端通信。R5Eesmc

LoRa Core产品组合最新增加的成员包括：集成了LoRa（SX1303）的网关基带处理器，以及支持精细时间戳功能的LoRa Corecell网关参考设计。R5Eesmc

具有精准时间戳功能的全新LoRa Corecell网关参考设计适用于美国、欧洲和中国。LoRa Corecell将帮助开发人员设计出将LoRa与最佳物料清单（BOM）和最低功耗配置相结合的网关，同时提供最新的、以网络为中心的地理定位性能。R5Eesmc

Wi-Fi 6解决方案

数字化正在生活的各个领域加速发展。从家庭娱乐到健康科技再到车载娱乐，用于家庭或路途中的联网消费设备的数量持续增长，从而增加了对无线连接的需求。借助新推出的AIROC™ Wi-Fi 6/6E和Bluetooth®5.2产品系列，英飞凌满足了消费者对安全便捷的无线联网的需求，并有助于减少家庭网络的拥塞。这归功于公司能一站式提供所有必需的组件，包括从传感器和微控制器到电源，再到安全连接和软件。”R5Eesmc

英飞凌正在扩展其高性能、可靠和安全的AIROC无线产品组合，将Wi-Fi 6/6E和蓝牙5.2功能结合在一起。R5Eesmc

AIROC Wi-Fi 6/6E组合解决方案采用2.4 GHz、5 GHz和最新的6 GHz新频带，以提供强大的性能和最小的延迟，使其成为游戏机、AR/VR、智能扬声器、流媒体设备和车载信息娱乐系统等高质量视频和音频流应用的理想选择。需要实时响应的应用（如安防系统和工业自动化）也将受益于英飞凌的新产品。R5Eesmc

功率模块

3月16日，Vishay推出九款采用热增强型5mm x 6mm PowerPAK® MLP56-39封装，集成电流和温度监测功能的新型70A、80A和100A VRPower® 智能功率模块。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模块提高能效和电流报告精度，降低数据中心和其他高性能计算，以及5G移动基础设施通信应用的能源成本。R5Eesmc

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日前发布的功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效，器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术，这一技术确立行业性能基准，显著降低开关和传导损耗。SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93%以上。轻载时可启用二极管仿真模式，提高全负载范围的效率。R5Eesmc

采用电感器DCR监控功耗的解决方案，电流报告精度为7%，而SiC8xx系列器件采用低边MOSFET进行检测，精度误差小于3%。从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统（SoC）性能，改进热管理。器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。R5Eesmc

智能功率模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为16周。R5Eesmc

混合分立器件

3月17日，英飞凌科技推出车用650V CoolSiC™混合分立器件。该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质与性价比的完美方案，除支持双向充电之外，还有助于实现很高的系统集成度。这使得该器件非常适合诸多快速开关汽车应用，如车载充电器（OBC）、功率因数校正（PFC）、DC-DC和DC-AC变流器等。R5Eesmc

集成式快速开关50A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案，可与MOSFET媲美。较之常规的碳化硅MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现95％至97％的系统效率。R5Eesmc

此外，CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低30%。由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。R5Eesmc

更多阅读：3月新品推荐（上）：元器件篇R5Eesmc

责任编辑：MomoR5Eesmc