2021年10月20日,纳微半导体在纳斯达克上市,股票代码NVTS。在最近的纳微半导体纳斯达克上市媒体沟通会上,纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰向《国际电子商情》等媒体透露了公司上市之后将要重点发力的业务方向……
2021年10月20日,纳微半导体(Navitas Semiconductor)在纳斯达克上市,股票代码NVTS。作为全球首家以氮化镓功率芯片(GaN Power IC)为核心业务的上市企业,纳微半导体的上市意味着GaN的商业化之路更进一步。QkQesmc
在最近的纳微半导体纳斯达克上市媒体沟通会上,纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰向《国际电子商情》等媒体透露了公司上市之后将要重点发力的业务方向。QkQesmc
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纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰QkQesmc
10月20日,纳微半导体首席执行官Gene Sheridan、首席运营官兼首席技术官Dan Kinzer及应用和技术营销副总裁Jason Zhang等高层在纽约纳斯达克MarketSite见证了纳微半导体的敲钟时刻。作为首家专注于氮化镓功率芯片业务的上市公司,纳微半导体用实际行动证实了GaN可行的商业化之路。让人不得不关注的是,从注册成立到成功上市,这家公司只用了七年时间。QkQesmc
2013年,Gene Sheridan、Dan Kinzer及Jason Zhang共同创立了纳微半导体,他们有超过30年的共事经历,并共同创造了很多成就。从1978年到2015年,纳微创始团队在半导体、单晶、硅基氮化镓领域实现了一系列首创发明——2002年首个商用功率硅基氮化镓项目、2014年首个商用氮化镓功率芯片的发明以及2015年首个氮化镓工业芯片工艺设计工具包的发明……这些发明不止是代表纳微的行业地位的力证,也展现了纳微产品性能和竞争优势。QkQesmc
查莹杰自豪地说:“纳微是全球首家在7年内从初创做到上市,且企业价值突破10亿美金的功率半导体公司。我们通过技术革命为行业带来了巨变。”QkQesmc
记者注意到,纳微是通过SPAC(特殊目的收购公司)来实现上市。对此,查莹杰解释说:“这与大环境有关,现在SPAC上市在美国特别火,近两年有80%以上的美企通过这种方式上市。”QkQesmc
上市带来给纳微的优势在于——首先,通过公开更多市场判断、营收预测数据,让更多人了解氮化镓技术;其次,纳微已经获得了超过3.2亿美金的交易总收益,这将加快公司进入数据中心、太阳能和电动汽车等更高功率市场的速度。QkQesmc
据纳微半导体的财报数据显示:2020年公司的毛利率为33%。2021年的毛利率目标是46%。随着新一代产品的不断推出,包括在工业和汽车领域的供应链的优化,公司未来的毛利率有望达到51%-55%。今年,纳微预期的营收目标是2700万美金,2022年的目标是7000万美金。QkQesmc
在未来产品布局方面,查莹杰简要透露了纳微未来几年内的产品发展方向。他介绍说:“预计到2023年,我们的海外数据中心客户进入量产。到2022年底,我们的车规级GaN器件完成AC认证和测试,2025年将进入大规模的量产。”QkQesmc
中国是当前第三代功率器件的重要市场,也是相关产业链企业的兵家必争之地。在GaN上面有发力的TI、英飞凌、ST、NXP等巨头,都有在积极加大对中国市场的投入。专注于GaN业务的纳微半导体也不例外,据了解,目前纳微有60多位中国员工,占全球总员工人数的40%以上,同时纳微70%以上的营收来自中国。QkQesmc
“虽然纳微中国的员工还较少,但整体成员的知识构成非常完整,在每个领域都能独挡一面。”查莹杰还透露说,纳微中国未来要做很多事情——首先,将进一步增加销售、研发团队,以覆盖整个全球的市场能力;然后,扩张芯片设计团队,扩招海外和国内员工;其次,加速在数据中心方面的发展,目前与头部数据中心客户在合作,预计明年年底将进入量产;再次,与汽车厂商联合开发OBC、DCDC等。之后纳微会通过合资公司、收购,来进一步加速在中国的发展,主要将围绕大功率模块、技术新应用场景。QkQesmc
当然,从消费类的快充,到数据中心、汽车方面拓展,这个过程中在芯片设计以及产品量产上也面临一些技术难点。查莹杰坦言,往服务器、汽车方向发展会面临一些挑战。氮化镓是平面型结构,很适合做集成,但容易存在散热问题,这些问题需要进一步得到解决。QkQesmc
以GaN在汽车中的应用为例,现在主流的新能源汽车电池系统有两种,一种是800V的系统,一种是400V的系统。800V系统主要用于长续航里程的中高端车型。因为欧洲车主对续航里程没有太大的要求,该地区的新能源汽车仍以400V的系统为主。预计到2030年之前,欧洲大部分车型的电池系统都会以400V为主。而中国是一个特例,我国的国土辽阔,汽车充电桩分布广泛。预估到2030年之前,中国会有一半数量的汽车会从400V升级为800V。不过,在全球范围内400V还将是主流,Tier 1厂商规划的未来几年内的车载充电平台,依然以400V为主。QkQesmc
目前,主要的氮化镓器件是650V,这些产品的实测远高于650V,它们的应用场景处于650V这一档。同时,由于氮化镓工艺在不断完善,很多研究机构的数据表明,氮化镓在1200V部分有了很大的突破。所以1200V并不是GaN技术的极限,未来GaN能适应的电压还会往上提,而电流这一部分也不是太大的问题。例如,纳微在今年四季度将推出的很多大电流产品的工作电流可达到上百安培。QkQesmc
同为第三代半导体,GaN和SiC(碳化硅)经常被相提并论。这两种材料现在正处在商业化的过程中。以前大家说的更多的是SiC,因为它在汽车领域的广泛使用,加速了它整个产业链的发展。SiC第一次大规模的展示是在特斯拉汽车上,仅特斯拉一家公司就“吃”掉了全球几乎所有的SiC产能。客观来说,SiC在1200V系统及以上的汽车、输电、高铁应用中有明显的优势。QkQesmc
而GaN作为一个新生事物,它是第三代半导体领域的关键材料,它更适用于1200V以下的系统。今年在6月,英特尔发布了5V转1V的氮化镓系统,这意味着英特尔CPU的供电更高效。英特尔5V转1V氮化镓系统的发布,给GaN行业带来了巨大革命,GaN的电压限制进一步被突破。以上特点,让GaN的应用场景非常广泛,包括高压适配器,汽车、手机、数据中心PMIC的替代等。QkQesmc
查莹杰介绍说,从性能角度来说,碳化硅适用与从65kHz到200kHz频率应用,而氮化镓的频率上限还在上探。目前,纳微量产GaN产品的频率大多在200kHz-300kHz之间,而采用纳微GaN芯片的OPPO 50W的快充已经跑到了500kHz。实际上,GaN器件本身的频率已经突破两兆Hz以上,但控制器跟不上这么高的频率,预计到明年整个系统频率会突破1兆Hz。QkQesmc
另外,从成本的角度来看,氮化镓的成本更低。由于纳微半导体的带动,GaN进入到了消费类功率器件市场,很快它的出货量将会超过SiC,同时GaN的成本也会急速下降。QkQesmc
“我们认为,氮化镓会成为改变行业规则的技术。它的速度比硅快20倍,体积和质量小近3倍,效率可提升40%,单位体积内功率密度增加3倍……同时,我们会进一步降低成本,推动新技术发展、量产。”查莹杰强调说,纳微的目标是提高整个电力关键行业的效率。QkQesmc
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