上周，外媒消息称，由于美国不希望让更多先进半导体设备进入中国，SK Hynix 原本拟定的在无锡半导体工厂引入ASML的EUV光刻机来提高工艺技术的稳定性的计划可能就此搁浅。Y8desmc
相关阅读：《继Intel后，SK Hynix也成为“牺牲品”？》Y8desmc
对此，韩媒BusinessKorea 23日报道指出，SK Hynix的CEO李锡熙22日在一场活动中就关于引进EUV设备计划进展表示：“我们还有足够的时间，所以我们将通过与美国政府的合作，把设备引进到该工厂。”Y8desmc
Y8desmc
据悉，这家韩国存储芯片巨头在今年7月宣布，开始在韩国利川工厂使用EUV光刻设备量产基于1a纳米级工艺的8G LPDDR4移动DRAM芯片，与第三代1znm内存芯片相比，1a技术在相同的晶圆面积下，生产的芯片数量可以增加25%。Y8desmc
当被问及是否允许SK Hynix向中国工厂引进 EUV设备时，一名白宫官员拒绝置评，但重申美国政府坚持避免被中国利用美国及其盟国技术开发尖端半导体这一立场不会改变。Y8desmc
美方态度强硬
韩联社22日报道指出，美国贸易代表Katherine Tai在韩国CBS电台采访中就此事表示，美国阻止了有关公司向中国引进相关设备，是基于“若中国将此项技术运用于提高军事能力，对美国产生安全威胁”的担忧。Y8desmc
被问及美方是否会以安全为由将限制中国企业引进技术和装备的措施扩大至半导体以外的其他领域时，她回答说，国家安全虽与军事和国防有关，但其涉及的范围可能会更广。Y8desmc
对于韩方夹在中美之间立场，Katherine Tai则表示，此次访韩过程中了解了一些有关情况，知晓韩方的难处，“但我们都生活在经济一体化时代，需要携手应对挑战课题。”Y8desmc
值得一提的是，三星电子也在中国有存储器工厂，位于西安市，但由于是生产NAND芯片的专用工厂，目前为止并不需要EUV设备。这是因为，在NAND领域，企业围绕使存储组件纵向迭加的“三维技术”展开竞争，即使没有将半导体电路线宽缩小至极限的“微细化”所需的EUV设备，也能够量产尖端产品。Y8desmc
扫码分享到好友
