12月新品推荐：车用CPU、5G小基站基带芯片、安全控制器、GaN RF

（1）汽车电子hhXesmc

基于RISC-V的CPU产品系列

12月6日，Imagination Technologies推出Catapult系列RISC-V中央处理器（CPU）产品系列，这些全面创新设计的CPU产品旨在满足下一代异构计算的需求。hhXesmc

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RISC-V是一种正在改变处理器设计的开源CPU架构，而Imagination基于RISC-V的Catapult CPU可根据性能、效率或两者间平衡等各种应用场景进行配置，使其适用于更广泛的市场。hhXesmc

Catapult CPU是专为5G调制解调器、存储、先进驾驶辅助系统（ADAS）/自动驾驶车辆、数据中心和高性能计算等应用市场而打造。该系列CPU均采用多线程架构，有32位和64位两种版本，并且提供了大量的可选项，客户可以根据每种应用的需求去进行配置。它们可以扩展到每个集群中有8个非对称相干内核，以增强SoC的多功能性，并可选择添加自定义加速器。hhXesmc

Catapult系列有四款不同的CPU产品，分别是：动态微控制器、实时嵌入式CPU、高性能应用处理器CPU、和支持汽车功能安全的CPU。hhXesmc

该系列的第一款CPU产品是微控制器，Imagination的客户已经将其应用于其系统级芯片（SoC）中的高性能汽车图形处理器（GPU）上并已经出货；实时嵌入式CPU现已上市；高性能应用处理器CPU和汽车CPU也将于2022年开始陆续上市。hhXesmc

maXTouch触摸屏控制器

随着汽车市场对大尺寸触摸屏和灵活外形的需求不断提高，12月1日，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出新的maXTouch触摸屏控制器，助力汽车开发人员满足车载触摸显示屏的各种独特长宽比要求。这款新产品包括OEM要求的额外功能安全支持。hhXesmc

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MXT1296M1T可以重新配置驱动和接收触摸通道，以匹配准确的屏幕格式，从1:1到5:1的长宽比，其中包括主流的8:3车用长宽比。该功能使客户能够有效地利用已有的触摸通道数量，而无需选择更大、更昂贵的触摸控制器。此外，客户可以通过重复使用通用的PCB设计来支持不同的触摸传感器纵横比，从而节省额外的开发和验证时间及资源。MXT1296M1T是业界首款通过参数实现传感器通道重新配置的产品。这些设置不需要修改固件，从而降低了设计风险并加快了上市。hhXesmc

Microchip全新maXTouch触摸屏控制器提供了两个同时运行的通信接口，可与LVDS视频链路的后端通道进行无桥连接以获取触摸信息，并与本地单片机（MCU）连接。无桥拓扑结构减少了触摸延迟，从而改善了用户体验。它还支持与maXTouch软件驱动程序完全兼容，适用于所有主要的汽车操作系统，包括Linux、Android和QNX。当连接到一个合适的本地MCU时，第二个接口会提供：通过CAN总线或10BASE-T1S汽车以太网连接到车头装置的冗余链接，以提高系统级功能安全；对maXTouch触摸屏控制器功能的本地访问和控制，如电容式按键报告、实时触摸传感器诊断以及用于外部和自定义后处理的原始数据；使用Microchip的TrustAnchor100配套芯片实现无线和安全固件更新功能。hhXesmc

MXT1296M1T嵌入了各种功能安全特性，以持续检查触摸控制器操作的完整性以及连接的触摸传感器。故障模式影响和诊断分析（FMEDA）以及功能安全手册极大地简化了客户在设计、构建和认证符合ISO 26262标准的汽车安全完整性B级（ASIL-B）应用系统的体验。hhXesmc

目前MXT1296M1T现已量产。ISO 26262 FMEDA和功能安全手册将于2022年第一季度上市。hhXesmc

车用安全控制器

随着电气化和连接性的不断提高，汽车正在面临更高的网络攻击风险，这可能会造成严重后果。因此汽车制造商为远程信息处理数据提供充分的保护至关重要。为此，英飞凌科技股份公司于12月1日推出了SLI37车用安全控制器：这是一款易于设计且可靠的信任锚，可为安全关键类汽车应用保驾护航，如5G-Ready eUICC（eCall）、V2X通信、汽车访问或SOTA更新。hhXesmc

SLI37凭借独特而坚固的芯片设计，可提供更广的工作温度范围，并拥有长达17年的使用寿命。其质量堪称业界标准，故障率极低，适用于多种应用，而这正也是其最大的优势。因此，OEM厂商只需专注于这颗芯片的认证即可以迅速完成产品设计。hhXesmc

英飞凌的SLI系列已应用于超过1亿张eSIM卡中，证明了其可靠性。如今，它还提供行业所需的全部车规级认证，包括CC EAL 6+和AEC-Q100。再加之英飞凌的长期供应承诺和质量方面的支持，SLI系列将助力汽车行业在打造下一代联网汽车时能够避免安全风险。发布日起即可订购SLI37车用安全控制器。hhXesmc

汽车级IHSR高温电感器

12月，Vishay推出7.4mm x 6.6mm x 3.0mm 2525外形尺寸，符合AEC-Q200标准的全新IHSR高温电感器——IHSR-2525CZ-5A。该器件专为多相大电流电源和滤波器而设计，直流内阻（DCR）比一般功率电感器降低50%，与铁氧体解决方案相比，在整个工作温度范围内，具有出色的感值饱和稳定性，适用于汽车发动机舱和高级驾驶辅助系统（ADAS）。hhXesmc

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该电感器频率高达10MHz，特别适合用于DC/DC转换器能量存储，以及电感器自谐振频率（SRF）以下的大电流滤波。器件工作温度达+155℃，适用于滤波和DC/DC转换，应用包括发动机和传动控制单元、ADAS微控制器、娱乐/导航系统，以及发动机噪声抑制、雨刷器、电动后视镜和座椅、加热通风机等。hhXesmc

该电感器的典型直流内阻低至0.38mΩ，电感值为0.056µH，在同类技术中具有更高电流密度，3mm高度使成品设计得以更加轻薄。电感器封装采用100%无铅（Pb）屏蔽复合结构，蜂鸣噪声降至超低水平，具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力，可无饱和处理高瞬变电流尖峰。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。hhXesmc

IHSR-2525CZ-5A现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。hhXesmc

（2）通信基站、智能家居hhXesmc

高性能低功耗5G NR芯片

5G小基站基带芯片和物理层软件专业企业比科奇于12月初宣布推出其PC802芯片。作为一种高度灵活的低功耗的基带系统级芯片（SoC），PC802旨在赋能新一代5G NR开放式小基站设备的创新，可使5G以及4G网络的部署更加灵活，同时大幅度降低这些网络的资本支出和运营成本。hhXesmc

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PC802是全球首款高性能、低功耗和可编程小基站基带芯片，集成了完整的新一代移动通信功能和强大的计算能力，专用于4G/5G小基站设备。它支持分布式/一体化5G小基站平台，包括室内住宅、企业和工业网络、中立主机网络和室外网络，也可以支持其他智能网联设备的开发。hhXesmc

比科奇微电子(杭州)有限公司首席执行官蒋颖波博士谈到：“我很荣幸地宣布PC802一次流片成功，所有的功能和接口都满足设计要求。PC802是整个比科奇团队坚持创新的结晶和里程碑式成就，也是比科奇核心团队在移动通信基带处理领域内丰富经验的升华，我们将在年底前将该产品交付给我们的主要客户。”hhXesmc

Z-Wave 800系列芯片（SoC）和模块

12月15日，Silicon Labs（亦称“芯科科技”）推出Z-Wave 800系列芯片（SoC）和模块，可用于采用Z-Wave协议的智能家居和自动化应用。新的EFR32ZG23 (ZG23) SoC和ZGM230S模块使用了Silicon Labs屡获殊荣的第二代无线SoC平台，为开发人员提供了可用于网状网的Z-Wave Mesh模式和更远通讯距离的Z-Wave Long Range模式，频点都在1GHz以下（sub-GHz）的无线通讯，是智能家居、多住户单元楼（MDU）、酒店和照明应用的理想选择，SoC和模块都可以用来做终端设备和网关。Z-Wave 800系列是业界最安全的、具有超低功耗的无线连接解决方案，适用于先进的、高性能的、电池供电的物联网(IoT)设备；与Z-Wave 700系列相比，电池使用寿命提高了50%以上。hhXesmc

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“这些新产品扩展了Silicon Labs的Wireless Gecko Series 2第二代平台，提供了行业领先的安全性、超低功耗、快速唤醒时间、和一个集成的功率放大器，用来实现下一代物联网设备，提供高性能和安全连接。”Silicon Labs副总裁兼物联网家居和生活事业部总经理Jake Alamat表示。“此外，我们的Z-Wave统一软件开发工具包（Unify SDK Z-Wave）控制器也随之推出，将使开发人员更容易设计针对包括Matter在内的多种协议模式的智能家居产品，以避免产品在未来落伍。最终，Z-Wave 800系列将帮助消费者通过更长的续航时间、功耗更低的设备来改善他们的家居生活，而所有这些都不会牺牲通信质量。”hhXesmc

EFR32ZG23 SoC（采用5mm x 5mm QFN40和6mm x 6mm QFN48封装），ZGM230S模块和配套套件（xG23/ZGM230射频板和Z-Wave 800 Pro套件）现已开始供货。hhXesmc

氮化镓（GaN）射频功率器件

12月2日，Microchip Technology Inc.宣布大幅扩展其氮化镓（GaN）射频（RF）功率器件产品组合，推出频率最高可达20千兆赫（GHz）的新款单片微波集成电路（MMIC）和分立晶体管。这些器件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的性能水平。hhXesmc

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与所有Microchip的GaN射频功率产品一样，新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造，提供了高功率密度和产量的最佳组合，可在高压下运行，255℃结温下使用寿命超过100万小时。hhXesmc

这些产品包括覆盖2至18GHz、12至20GHz、3dB压缩点（P3dB）射频输出功率高达20W、效率高达25%的12至20GHz的氮化镓MMIC；用于S和X波段、PAE高达60%的裸片和封装氮化镓MMIC放大器，以及覆盖直流至14GHz、P3dB射频输出功率高达100W，最大效率为70%的分立高电子迁移率晶体管（HEMT）器件。hhXesmc

除GaN器件外，Microchip的射频半导体产品组合包括砷化镓（GaAs）射频放大器和模块、低噪声放大器、前端模块（RFFE）、变容二极管、肖特基和PIN二极管、射频开关和电压可变衰减器。此外，公司还提供高性能表面声波（SAW）传感器和微机电系统（MEMS）振荡器以及高度集成的模块。这些模块将单片机（MCU）与射频收发器（Wi-Fi MCU）相结合，支持从蓝牙和Wi-Fi到LoRa的主要短程无线通信协议。hhXesmc