政策利好：广州将大力推动高端芯片设计、制造、封测及宽禁带半导体产业

3月17日，广州市工业和信息化局关于印发《广州市半导体与集成电路产业发展行动计划（2022-2024年）》的通知。该通知指出，当前全球集成电路产业分工协作格局正不断调整，产业链供应链加速重整，国家高度重视集成电路产业，将发展集成电路产业写入“十四五”规划，广东省正实施强芯工程，着力打造中国集成电路产业发展“第三极”，为广州市发展半导体与集成电路产业提供了良好的发展机遇。ldFesmc

具体来说，广州市将重点布局以下细分环节：ldFesmc

提升高端芯片设计能力。围绕5G、新能源和智能网联汽车、超高清视频与新型显示、物联网与云平台、智能安全、人工智能、卫星导航等优势应用领域，在FPGA（现场可编程门阵列）、GPU（图形处理器）、CPU（中央处理器）、存储、视频流加密、服务器密码算法等高端数字芯片，电源管理、驱动、通信等高端模拟芯片，导航、蓝牙等射频芯片领域培育和引进一批具有自主知识产权和行业影响力的“单项冠军”和“专精特新”企业。支持发展智能传感器、射频滤波器、光电器件等核心元器件的研发及产业化。ldFesmc

做强做大芯片制造业。推动粤芯半导体二期、三期项目加快建设，支持加快建设高端模拟、数模混合芯片制造产线，拓宽模拟产品定制化工艺开发能力，快速扩充产能。支持本土整机、整车企业与芯片设计、制造企业合作，发展汽车用微控制单元、功率芯片、电源管理芯片、传感器、高性能数模转换芯片等车规级芯片和工业控制领域芯片。建设先进SOI（绝缘体上硅）工艺生产线，力争引进张江国家实验室，重点开展12英寸先进SOI工艺研发，推动与现有制造产线整合，建设FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）工艺研发线、RF-SOI（射频绝缘体上硅）工艺生产线。ldFesmc

布局发展宽禁带半导体。支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体衬底、外延、设计及制造全产业链发展，支持龙头企业发展IDM（垂直整合）模式。布局4-6英寸碳化硅衬底片、外延片生产线，加速8英寸项目研发及产业化，建设6-8英寸及以上碳化硅芯片生产线，支持建设硅基/碳化硅基氮化镓功率/射频器件生产线，实现工业级、车规级的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）电力电子器件及面向雷达、基站等应用的射频器件研发和量产。ldFesmc

推动封装测试业高端化发展。支持现有封装测试企业依托市场需求，加快工艺技术升级和产能提升，壮大优势封测企业，建设系统级封装、晶圆级封装等高端封装技术生产线，引进国内外封装测试龙头企业建设先进封装生产线，积极拓展MEMS传感器、CMOS图像传感器（CIS）及模块封装能力。支持开发2.5D/3D异质集成、chiplet（芯粒）等先进封装技术。ldFesmc

引进培育高端材料重点装备企业。支持建设集成电路高端封装基板及高端印制电路板、高端片式电容器、电感器、电阻器等关键电子元器件生产线，支持发展大硅片、光掩膜、电子气体、高纯靶材等高端半导体制造材料生产线项目，引进刻蚀机、离子注入机、清洗设备、沉积设备等半导体设备制造龙头企业，补齐产业链空缺，构建完整产业生态。ldFesmc

此外，广州市还将：打造产业聚集区、建设公共服务平台、完善投融资环境、牵引应用需求、深化行业交流合作列为重点任务，并配套五大保障措施，为广州本土半导体产业发展保驾护航。ldFesmc

值得一提的是，该通知还对本土半导体的发展订立了阶段性目标。ldFesmc

• 在产业规模上，到2024年，年主营业务收入突破500亿元，年均增长超过15%。培育5家以上销售收入超亿元的集成电路设计企业，建成较大规模特色工艺制程生产线，部分化合物半导体材料、器件生产能力国内领先，特种装备及零部件发展初具规模。
• 在创新能力上，到2024年，全行业研发投入强度超过5%，发明专利密集度和质量位居全国前列。新组建5个以上半导体与集成电路领域的省级重点实验室、工程实验室等，建成2个以上公共技术服务平台。
• 在产业布局上，到2024年，一批龙头企业国际话语权显著提升，集聚一批创新能力强的“独角兽”企业、细分领域“单项冠军”和“专精特新”企业，产业链供应链国产化水平进一步提升，我市成为全国半导体与集成电路产业集聚区、人才汇聚地、创新示范区。

资料显示，广州已经形成包括芯片设计、制造、封测、终端应用、装备材料、芯片服务、配套服务等环节的全产业链条，涌现出一批知名企业，如芯片设计领域的润芯信息、高云半导体等，芯片代工领域的粤芯半导体等，封装领域的晶科电子等，分销服务领域的立功科技等。ldFesmc

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