高通膨、库存上升，第三季DRAM价格恐跌3~8%

据市调机构TrendForce最新研报显示，尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑，第三季DRAM市场仍不敌俄乌冲突、高通胀导致消费性电子需求疲弱的负面影响，进而使得整体DRAM库存上升，成为第三季DRAM价格下跌3~8%的主因，且不排除部分产品类别如PC与智能手机领域恐出现超过8%的跌幅。hBBesmc

PC DRAM方面，在需求持续走弱情况下，引发PC OEMs下修整年出货目标，同时也造成DRAM库存快速飙升，第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存，采购力道尚难回温。同时，由于整体DRAM产业仍处于供过于求，因此即便PC需求不振，但供应商仍难以减少其PC DRAM供给量，造成供货位元数持续小幅季增，故预估PC DRAM价格将跌3~8%。hBBesmc

Server DRAM方面，现下客户端的库存7~8周略为偏高，而服务器领域目前又为原厂的重要销售市场，但客户端的位元需求量仍不足以完全消耗投片量增加与制程演进所带来的位元产出。加上消费类别的PC DRAM及mobile DRAM下半年需求不明朗，迫使原厂将产能移转至server DRAM，导致供应商必须透过部分销售策略如两季度的价格绑定、提高在手库存压抑价格跌幅，预测第三季serve DRAM将再下跌0~5%。hBBesmc

Mobile DRAM方面，由于终端消费市场销售仍不如预期，迫使原厂逐季微幅调降mobile DRAM生产比重，并转至server DRAM，藉此稳定市场库存以及价格。但由于制程转进助力，mobile DRAM位元供给量并没有因此明显下降，加上单机平均搭载容量又未能显著提升，导致供过于求状态持续，跌幅会较第二季扩大至3~8%。TrendForce集邦咨询也表示，在历经第二季智能手机需求低迷，品牌库存又急待消耗的状况，导致原厂出货迟滞，在营收、库存等双重压力夹击下，对于价格将释出更大让价意愿，力求6月底前先行谈妥部分价格并出货以解燃眉之急。 hBBesmc

Graphics DRAM方面，由于买方面临库存增加以及后续渠道需求的不确定性，市场拉货动能疲弱。尽管美光（Micron）在第三季仅剩零星的GDDR6 8Gb供给，但在韩厂投片量增加以及需求弱化的情形下，目前graphics DRAM供给无虞，也因此造成第三季价格仍小跌0~5%。TrendForce集邦咨询认为，需求面疲弱算是导致本季graphics DRAM价格不易上涨的关键，惟须关注原厂态度，若原厂认为第三季价格下跌也无法刺激需求，仍会尽可能力守价格持平。hBBesmc

Consumer DRAM方面，由于俄乌冲突、疫情以及高通胀等因素冲击消费性电子买气，其中属consumer DRAM相关应用的笔电、电视出货面临下修，加上DDR3因价格属于相对高点，买方在库存与成本压力之下，购买力道明显收敛，预估DDR3与DDR4需求将同步下滑，市场拉货动能持续走弱。而韩厂对于退出DDR3供给的计划不变，但下半年仍有陆厂及台厂新增产能开出。在需求走弱，供给增加的情形下，卖方的议价优势不再，难以支撑第三季consumer DRAM价格，预测DDR3与DDR4价格将季减3~8%。hBBesmc