DRAM及NANDFlash价格持续下跌

DRAM：整体价格持续下跌

先前因货运塞港问题，工厂针对缺货品项重覆下单，但随着中国防疫措施解除，全球通膨压力升温，各厂库存水位过高而出现抛售情况，市场成长动能受到压抑，终端需求萎缩造成现货价格加速下修，买家采购情绪低迷，面对实单目标价格开价甚低，成交机会渺茫，在未有支撑状况下，整体价格将持续下跌。qkUesmc

DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC报价落在USD3.0x，CJR-XNC报价同样落在USD3.0x上下；Samsung WC-BCTD现货报价跌落至USD3.0x左右。qkUesmc

DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC价格落在USD1.82，WF-BCTD价格为USD1.9x左右；SK Hynix BJR-VKC现货价维持在USD2.47。qkUesmc

DDR4 512x16 2666部分，SK Hynix CJR-VKC报价为USD3.5x；Samsung WC-BCTD价格明显下跌至USD2.77。qkUesmc

DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC价格在USD1.88，WF-BCTD落在USD1.56-1.66附近。qkUesmc

模组现货价格参考：

KST DDR4 8G 2666 $22.50qkUesmc

KST DDR4 16G 2666 $43.00qkUesmc

KST DDR4 8G 3200 $23.00~23.35qkUesmc

KST DDR4 16G 3200 $45.00qkUesmc

KST DDR4 32G 3200 $88.00qkUesmc

NAND Flash：整体盘势连日走跌

本周NAND Flash原厂端颗粒持续到货，连带影响供应端库存卖压日渐加剧，市场需求呈现消极观望，成品终端需求萎缩形成砍单效应，工厂端坚持安全库存不愿进场备货，整体表现不甚乐观，亦有降价释出调整库存动作，造成整体盘势连日走跌，虽在低价刺激下，偶有些许零星急单释出，但买方始终预期未来仍会持续调降售价心理，持续寻求低价，采分次少量且目标价格偏低进行议价，双方交易更显困难，造成整体买气更显萧条。qkUesmc

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其中，Samsung SLC颗粒随大盘微幅修正，2G/4G部分亦有些许库存调节，仅4G部分有询单释出，但仍未见明显议价动作，整体买气更显安静。qkUesmc

SK Hynix SLC颗粒报价较为稀少且让价空间有限，零星询单于4G部分，买方态度持续比价，推迟购货时程，买气停滞。qkUesmc

Micron SLC盘势表现相对稳定，但2G/4G部分到货量有明显增加，供应端虽对报价多有坚持，但需求不佳之下，仍善意释出些许议价空间。qkUesmc

Kioxia SLC颗粒报价跌幅较为趋缓，但由于工厂仍备有安全库存，所接急单虽有释出比价，但仍以消化库存为主，现货部分难以成交。qkUesmc

TF卡：整体盘势持续走跌

本周TF卡表现不佳，临近月底市场需求更为零星，整体动能表现疲软，购货力道明显不足，供应端卖压较大，主动下调价格求售，依然未能刺激买气，整体盘势持续走跌，交易情况稍显萧条。qkUesmc

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