本月推荐8款新品,分别来自:安谋科技、Microchip、英飞凌、Transphorm和Vishay。
7月6日,安谋科技推出自研新一代“星辰”STAR-MC2车规级嵌入式处理器,以及面向多场景应用的全新“玲珑”V6/V8视频处理器。Z51esmc
“星辰”STAR-MC2:车规级高性能嵌入式处理器Z51esmc
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“星辰”STAR-MC2是首个本土研发、支持功能安全设计的车规级嵌入式处理器,基于最新的Arm®v8.1-M架构设计,在数字信号处理、信息安全、功能安全等方面进行了全面升级,能够帮助客户简化开发流程并加速产品上市,更轻松地应对智能物联网、汽车电子等市场的多样化需求。Z51esmc
“星辰”STAR-MC2处理器通过引入Arm HeliumTM技术,相较于上一代产品,实现了标量性能提升45%,矢量性能提升200%,人工智能(AI)处理能力提升了9倍,更高的计算密度和能效比能够满足智能物联网设备日益增长的性能要求。基于Arm TrustZone技术以及对软硬件一体平台安全架构(PSA)方案的兼容,“星辰”STAR-MC2能够充分保护物联网和车载设备的信息安全。此外,“星辰”STAR-MC2处理器满足ASIL-D (ISO26262)/SIL3 (IEC61508)的要求,可帮助汽车芯片厂商简化芯片开发并加速符合车规级要求的认证。Z51esmc
“玲珑”V6/V8:面向多场景应用的高效视频处理器Z51esmc
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“玲珑”V6/V8视频处理器是为满足主流市场不断增长的4K/8K实时编解码需求而设计的高效视频处理器,具有配置灵活可定制、编解码性能优异、面积小等优点,能够为手机终端、智能安防、汽车、数据中心、航拍记录仪、电视娱乐等应用场景提供高清视频编解码能力。Z51esmc
“玲珑”V6/V8视频处理器单核性能可达4K@30fps编码或4K@60fps实时解码,针对不同应用场景分别提供1-4核、4-8核等多种配置,轻松实现线性扩展,达到8K@60fps编码和8K@120fps解码的能力,既能够满足AIoT设备4K/8K超高清摄像头需求,也支持数据中心单芯片超过200通道的编解码需求。“玲珑”V6/V8视频处理器支持长参考帧,节省传输带宽并显著提高图像质量。通过采用融合编解码的一体架构设计,“玲珑”V6/V8视频处理器能够有效减小芯片面积,显著节省存储空间并降低整体系统的成本和功耗。Z51esmc
Microchip(美国微芯)推出基于maXTouch技术的显示屏旋钮(KoD)控制器,这是首款原生支持电容式旋转编码器检测和报告的车用级触摸屏控制器系列产品,同时也支持触摸面板顶部的机械开关。与传统机械式旋转编码器不同,这项新技术可将旋钮直接安装在显示屏上,无需在面板上开孔或对触摸模式进行任何定制,从而提高了设计灵活性并节省了系统成本。Z51esmc
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KoD技术消除了对定制触摸传感器模式的需求,使设计人员能够轻松实现不同的旋钮数量、形状和位置,以适应各种终端用户产品。定制化配置可在不改变maXTouch KoD触摸控制器的嵌入式固件的情况下进行调整,从而使开发周期更快、更灵活。maXTouch KoD控制器使设计人员能够保持旋转编码器输入设备的舒适性,但又能利用智能表面和多点触控显示器将其与现代和创新的车内设计相结合。Z51esmc
设计人员还有望体验到另一个好处,即更容易构建密封的人机接口(HMI)模块,这在家用电器和工业应用中越来越流行。在显示屏上使用旋钮也将增加最终用户的安全性,例如用户不需要在开车时看着显示屏来调节声音或空调。Z51esmc
2020年,全球智能锁市场规模为13.8亿美元,市场需求量达到了890万套。预计从2021至2028年,智能锁的市场需求量将以21.4%的复合年均增长率(CAGR)快速增长。通过集成半桥驱动IC和能量采集模块,即可利用单芯片解决方案打造智能执行终端,且所需的组件数量很少。7月22日,英飞凌科技已经开发出了基于ARM Cortex-M0内核的32位可编程微控制器(MCU),其内置NFC无线通讯模块,可助力客户经济高效地开发智能执行终端,如无源锁等。Z51esmc
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英飞凌——免电池智能锁解决方案Z51esmc
NAC1080 MCU带有NFC接口,可以通过智能手机直接控制设备。先进的本地和云端功能可在区域营销合作伙伴提供的移动应用程序中进行扩展。这帮助客户减少了BOM成本,并支持产品的小型化设计。NAC1080支持不同的运行模式,既可在无源模式下通过NFC功能利用手机进行供电,也可在有源模式下通过电池进行供电。NAC1080还集成了一个AES128加速器和一个真随机数生成器,能够进行数据的加密和解密,同时实现超低功耗。Z51esmc
NAC1080Z51esmc
除了应用于NFC无源锁,NAC1080还可用作应急备用电源。例如,当依靠电池供电的有源锁系统突然没电的时候,即可利用电子设备的NFC接口IC为门锁充电。Z51esmc
当前,服务器、通信和网络存储应用都在尽最大努力降低功耗和缩减解决方案的尺寸。与此同时,瞬息万变的市场也要求系统解决方案提供商比以往更快地满足市场需求。有鉴于此,7月20日英飞凌科技推出了高效、可靠的DC-DC降压转换器模块,进一步壮大其POL(负载电源)模块的产品阵容。它们主要面向空间和散热条件受限的应用,例如电信和数据通信应用、服务器以及网络存储等应用。Z51esmc
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3D IPOL TDM3883Z51esmc
TDM3883和3885 IPOL是完全集成的单输出降压转换器,能够提供高达3A/4A的连续负载,具有高效、出色的线路和负载调节能力,并且支持4.5V–14V的宽输入电压范围。集成的电感和电容元件减少了外部组件的数量,有利于轻松实现更高功率密度的设计。与分立式解决方案相比,该集成解决方案通过最大限度地减少PCB走线来降低寄生参数,提升性能。与此同时,由于封装尺寸极小,这些模块能够节省高达80%的PCB占板空间,为客户的解决方案释放更多的可能性。对于这两款经过优化的电源模块,英飞凌在可靠性测试和成品测试(FT)中对集成的电感和电容元件都进行了严格测试,这进一步减轻了客户的工作量,使得他们无需再进行无源元件的选型和测试。Z51esmc
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3D IPOL TDM3885Z51esmc
这两款模块关断时的供电电流都很小(10μA),可以延长便携式设备的电池使用寿命。此外,由于拥有极小的基准电压(VREF)容差(0.5V±1.0%)和低纹波,它们能够提供精确的输出功率,从而有助于提高系统的稳定性和可靠性。为此,它们还采用了带陶瓷电容且无需外部补偿的增强稳定性COT(恒定导通时间)引擎,以及强制连续导通模式(FCCM)选项。此外,这些模块还具有热补偿内部过流保护(OCP)功能,可以通过降低开关频率,以及利用二极管仿真模式(DEM),来提高轻载效率。在超轻负载条件下,它们可以进入低静态电流模式,这使其成为了减小待机功耗的理想选择。不仅如此,它们还具有内部软启动、启用输入、预偏压启动、热关断、电源正常输出、过压保护(OVP)和欠压锁定(UVLO)等其他功能。Z51esmc
氮化镓(GaN)电源转换产品全球供应商Transphorm,Inc.新增了TP65H050G4BS器件,扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK)封装的650V SuperGaN场效应晶体管(FET),典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。Z51esmc
TP65H050G4BS通过了JEDEC认证,为设计者和制造商提供了多项优势,赋能他们开发通常用于数据中心和广泛工业应用的高功率(数千瓦到几千瓦)系统。它具有Transphorm一流的可靠性、栅极稳健性(±20Vmax)和抗硅噪声阈值(4V),以及氮化镓技术所具备的易设计性和驱动性能。工程师们需要使用较大的D2PAK来满足更高的功率和表面贴装封装需求。与PQFN封装相比,D2PAK可以实现更好的热性能,同时帮助用户通过单一的制造流程提高PCB组装效率。Z51esmc
D2PAK可作为分立器件提供,也可配套垂直子卡,以提高Transphorm的2.5kW AC-DC无桥图腾柱功率因素校正(PFC)评估板的功率密度。它还可以切换至1.2kW同步半桥TDHBG1200DC100-KIT评估板,以驱动多千瓦功率。Z51esmc
7月25日,Vishay推出两款新型商用1107封装IHDM边绕插件电感器——IHDM-1107BBEV-20和IHDM-1107BBEV-30,软饱和电流达422A。该系列采用铁粉磁芯技术,在-55°C至+180°C严苛的工作温度范围内,具有出色的感值及饱和电流稳定性,功耗低、散热性能优异。Z51esmc
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边绕线圈直流电阻(DCR)低至0.25mΩ,最大限度减少损耗,改善额定电流性能提高效率。与基于铁氧体的解决方案相比,IHDM-1107BBEV-20和IHDM-1107BBEV-30在+180°C连续工作温度下,额定电流和软饱和电流分别提高30%并保持稳定。电感器具有软饱和特性,电感值随电流增加可预期下降,不受温度影响。Z51esmc
电感器工作电压高达350V,适用于大电流、高温功率应用,包括工业、医疗和防御系统DC/DC转换器、逆变器、差模扼流圈,以及电机和开关噪声抑制滤波电路。电感器有两种磁芯材料,可根据应用进行选择优化性能。Z51esmc
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