8月新品推荐：SOM、存储芯片、加速卡PCIe、充电SoC

基于MPU的系统级模块

Microchip在8月5日推出运行速度高达600MHz的基于ARM926EJ-S的SAM9X60D1G-SOM嵌入式微处理器，进一步扩大了旗下的微处理器系统模块（SOM）产品组合。用于SAM9X60D1G-SOM的软件可通过MPLAB Harmony 3提供裸机或RTOS支持，也可提供完整的Linux主线发行版支持。q6besmc

新款SOM基于SAM9X60D1G封装系统（SiP），为28mm × 28mm的小型手工焊接模块，在单个封装中包括MPU和DDR，以及电源、时钟和存储器。SAM9X60D1G-SOM是Microchip首款配备4Gb SLC NAND闪存的SOM，可最大限度地存储应用设备中的数据，而板载DDR则降低了与存储芯片相关的供应和价格风险。小尺寸SAM9X60D1G-SOM还包括一个MCP16501电源管理IC（PMIC），将电源设计工作简化为单个5V电压轨，使系统实现更低功耗。q6besmc

为了提供以太网连接系统可能需要的功能，SAM9X60D1G-SOM包含一个10/100 KSZ8081以太网PHY和一个带有预编程MAC地址（EUI-48）的1Kb串行EEPROM。客户可以根据所需的安全保护等级进一步定制设计，如带有片上安全密钥存储（OTP）的安全启动、硬件加密引擎（TDES、AES和SHA）和真随机发生器（TRNG）。q6besmc

智能存储控制器

Microchip宣布扩大旗下串行连接存储控制器产品阵容，推出基于Compute Express Link（CXL）的新型SMC 2000系列智能存储控制器，使CPU、GPU和SoC能够利用CXL接口连接DDR4或DDR5存储器。该解决方案可为每个内核提供更大的存储带宽和更高的存储容量，并使现代CPU能够优化应用工作负载，从而降低数据中心的整体总拥有成本。q6besmc

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低延迟SMC 2000 16x32G和SMC 2000 8x32G存储控制器的设计符合CXL 1.1和CXL 2.0规范、DDR4和DDR5 JEDEC标准，并支持PCIe 5.0规范速度。SMC 2000 16x32G是业界容量最大的控制器，有16条通道，运行速度为32GT/s，支持DDR4-3200或DDR5-4800的两个通道，从而大大减少了每个存储通道所需的主机CPU或SoC引脚数量。q6besmc

典型的CXL连接的存储模块包括512GB或以上存储器，提供了有效的机制来增加处理内核事务可用的存储带宽。这种新的模式转变让数据中心运营商能够根据实际应用需求，部署更广泛的存储器与CPU内核的比例，从而提高存储器利用率，降低总拥有成本。q6besmc

存储芯片

8月29日，英飞凌科技推出新型HYPERRAM 3.0器件，进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus接口，可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM 3.0器件后，英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用，包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网（AIoT）和汽车车联网（V2X），以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。q6besmc

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英飞凌HYPERRA是一款基于PSRAM的独立易失性存储器，它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当，但所用的引脚数更少，功耗更低。HyperBus接口每个引脚的数据吞吐量更高，从而可以使用引脚数较少的微控制器（MCU）和层数较少的PCB，为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。q6besmc

加速卡PCIe

凌华科技推出5G前向纠错（FEC）加速卡PCIe-ACC100，基于英特尔虚拟无线接取网络（vRAN）专用加速器ACC100 eASIC芯片所开发，适用于强调高吞吐量与低延迟的5G网络应用，支持包括涡轮编码（Turbo coding）和低密度奇偶检查（Low-density parity-check, LDPC）等功能。PCIe-ACC100设计上无需PCIe卡辅助电源，并支持-5°C至+55°C工作温度，符合网络设备建置系统（NEBS）规范。q6besmc

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在5G应用中，计算量最大的工作负荷是RAN网络架构物理层（L1）的FEC处理。它的主要功能是纠正通信信号传输过程中由噪声或干扰引起的信息错误，帮助提高网络效能，降低网络成本。同时，FEC也是一个通用功能，可以在不同的软件vRAN供应商中运用。此外，FEC加速处理不会包含电池状态信息，可以轻松实现虚拟化，能提供资源共享与简化基地台迁移的优势。q6besmc

PCIe-ACC100是凌华科技基于英特尔vRAN专用加速器ACC100 eASIC芯片所开发的PCIe接口加速卡。支持4G和5G的编解码加速、校验和速率匹配，板载4G ECC内存，支持HARQ混合自动重传请求技术。HHHL（Half-Height Half-Length）的PCIe尺寸，能满足多数应用场景需求。q6besmc

据介绍，相比传统FPGA的加速方案，采用ACC100的PCIe-ACC100，在满足4G与5G编码、译码高吞吐量得条件下，功耗和成本上大幅降低，并降低客户和最终使用者的CAPEX和 OPEX。支持英特尔FlexRAN，完全兼容英特尔FPGA的FlexRAN接口，开发和软件迁移便捷，并兼容凌华全系列MECS平台与市场上x86架构的服务器。q6besmc

锂电池充电SoC芯片

广东希荻微电子股份有限公司宣布推出一款全自动、高度集成的锂电池充电管理芯片——HL7090，该芯片集成了一个开关充电器和两个线性充电器（LDO），其可通过I2C接口实现全范围可编程充电参数设置的功能。q6besmc

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HL7090是一款小型、灵活且高效的开关模式充电管理芯片，该芯片适用于各种物联网和可穿戴应用场景（包括入耳式耳机），主要用于单节锂离子和锂聚合物的电池充电。HL7090集成了负载开关，以适应USB电源和无线充电电源的切换。同时，该芯片集成的降压开关充电器可在反向升压模式下工作，通过电池升压输出，可实现让两个线性充电器电源（LDO）可以同时为两个配件充电的功能。其中，HL7090FN03子型号芯片还可以通过I2C接口对充电参数进行编程设置。因此，HL7090非常适合耳机应用。q6besmc

HL7090提供全自动的三阶段电池充电控制，包括涓流充电、恒流充电（CC）和恒压充电（CV），直到电池的电压达到充电截止电压。在正常工作期间，如果电池的电压低于其内部阈值，HL7090会自动重新启动充电周期，并在输入电源未正确连接时自动进入睡眠模式或高阻抗模式。系统充电状态会通过I2C接口向主机报告。q6besmc

HL7090的最大输入电流值可以通过主机设置，充电截止阈值可以根据电池的电压和用户可选择的最小充电电流进行设置。除了I2C接口通信和控制外，该芯片还集成了一个安全定时器（看门狗）的复位功能来保障系统安全。HL7090将同步PWM控制器、功率MOSFET、输入电流检测、高精度电流与电压调节、充电截止等多功能集成到一个微型（3mm x 3mm）的QFN封装中。q6besmc