泛林收购SEMSYSCO 强化下一代基板和异构封装技术开发

　　近日，泛林集团官网（Lam Research Corporation）宣布已从Gruenwald Equity和其他投资者手中收购全球湿法加工半导体设备供应商SEMSYSCO GmbH。随着SEMSYSCO的加入，泛林集团获得的先进封装能力是高性能计算(HPC)、人工智能(AI)和其他数据密集型应用的前沿逻辑芯片和基于小芯片的理想解决方案。该协议的财务条款尚未被披露。40Xesmc

　　对SEMSYSCO的收购扩大了泛林集团的封装产品系列。新的产品组合拥有创新的、针对小芯片间或小芯片和基板间异构集成的清洗和电镀能力，包括支持扇出型面板级封装这样的颠覆性工艺。在这种工艺中，芯片或小芯片是从几倍于传统硅晶圆尺寸的大型矩形基板片上切割下来的。这种方法将助力芯片制造商显著提高良率并减少损耗。40Xesmc

　　“对SEMSYSCO的战略收购进一步推动了我们帮助芯片制造商应对新兴技术挑战的承诺，加强先进基板和封装工艺方面的能力。凭借创新的产品和封装领域的前沿研发，泛林集团有能力支持客户升级到未来基于小芯片的技术。”泛林集团总裁兼首席执行官Tim Archer表示。40Xesmc

　　英特尔公司首席全球运营官Keyvan Esfarjani表示：“封装在扩展摩尔定律和赋能未来领先产品更高水平的系统级封装集成方面发挥着重要作用。数字世界需要基于小芯片的高性能解决方案，新的基于基板的面板级方法对经济高效地实现这种方案至关重要。我们很高兴扩大与泛林集团长期深厚的合作关系，将先进的清洗和电镀工艺纳入新的面板外形。”40Xesmc

　　通过收购SEMSYSCO，泛林集团还获得了位于奥地利的、先进技术的研发中心。该研发中心专注于下一代基板和异构封装，使得泛林集团在欧洲拓展了其强大的开发能力，并在其全球网络中增加了第六个实验室。此外，此举还帮助泛林集团与芯片制造商和专注设计的客户建立和深化了合作关系。40Xesmc

     2023年半导体设备厂商业绩或将有所恶化

　　11月5日，泛林集团公布了截至2022年9月25日的季度财务业绩。财报显示，截至2022年9月，该集团收入为50.74亿美元，毛利率为23.37亿美元，占收入的46.1%，营业费用为6.39亿美元，营业收入占收入的33.5%，净收入为14.26亿美元，占摊薄后每股收益10.39美元美国公认会计原则基础。相比之下，本季度收入为46.36亿美元，毛利率为21.01亿美元，占收入的45.3%，营业费用为6.21亿美元，营业收入占收入的31.9%，净收入为12.09亿美元，或摊薄后每股收益8.74美元截至2022年6月26日（“2022年6月季度”）。40Xesmc

　　其现金和现金等价物、短期投资以及受限制的现金和投资余额，在2022年9月季度末增加到46亿美元，而在2022年6月季度末为39亿美元。这一增长主要是由于经营活动产生的11.9亿美元现金，部分被支付给股东的2.06亿美元股息所抵消；1.4亿美元的资本支出；以及1.1亿美元的股票回购，包括员工股票补偿的净股票结算。40Xesmc

　　2022年9月季度末的递延收入从2022年6月季度末的21.98亿美元增至27.55亿美元。Lam的递延收入余额不包括发给日本客户的货物，在客户接受之前，所有权不会转移给这些客户。发往日本客户的货物在验收前按成本分类为存货。截至2022年9月25日，向日本客户发货的估计未来收入约为4.01亿美元，截至2022年6月26日为3.67亿美元。40Xesmc

前不久，国际半导体产业协会（SEMI）发布报告指出，2023年全球半导体硅晶圆出货面积将转为衰退0.6%，终止连三年创新高，2024年则可望恢复增长。此前，SEMI在半导体行业年度硅出货量预测报告中指出，预计2022年全球硅晶圆出货量将同比增长4.8%，达到近14700百万平方英寸（MSI）的历史新高。40Xesmc

“Lam在9月季度的收入超过50亿美元，创历史新高。扎实的执行加上宽松的供应链条件产生了强劲的整体表现，”Lam Research总裁兼首席执行官Tim Archer说。“我们预计2023年晶圆制造设备支出将减少，但我们的技术领。”随着世界经济走势放缓，以及半导体设备的出口管制，未来以Lam Research等为龙头的世界级半导体设备厂商业绩或将有所恶化，Lam Research已警告称，2023 年营收可能减少 20 亿至 25 亿美元。40Xesmc

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此外，同为美国的半导体设备领军企业的美国应用材料（AMAT）、科磊（KLA），此前也预测了2023年财年业务损益情况，如应用材料20203财年销售额最高或将下滑25亿美元，科磊销售额将下滑6-9亿美元，40Xesmc

推动下一代半导体的技术进步

11月初，Lam Research官网发布了有关介绍“应对MEMS中的大批量制造挑战和技术转变”以及“ 3nm 及以后的挑战和解决方案”资料。40Xesmc

该公司Lam Research 客户支持业务部战略营销副总裁 David Haynes 博士也分享了关于“应对 MEMS 中的大批量制造挑战和技术转变”的最新进展情况。据他介绍，40Xesmc

• MEMS有望在汽车、物联网、5G、智能家居等市场获得更广泛的应用。
• 此外，MEMS 和 MEMS 制造技术有望在实现元宇宙方面发挥关键作用。

鉴于此，Lam Research 制定了三种策略来帮助客户克服 MEMS 的大批量制造挑战：40Xesmc

1. 利用 Lam 的领先技术来实现 MEMS 工艺能力
2. 应对 MEMS 和传感器客户的高价值挑战
3. 成为 MEMS 和传感器开发及工艺优化的合作伙伴

Haynes 指出，Lam Research 已经推出了 用于 300mm 晶圆的Syndion® 系列产品，并且正在开发专门针对 MEMS 市场需求的新一代 DSiE 技术。40Xesmc

• 此外，Lam 还积极投资于新材料的开发、生产工具的使用寿命延长以及 200-300 毫米的可扩展性。

该行业还在开发新一代压电 MEMS 器件，以推动 MEMS 器件的范式转变。由于压电材料是蚀刻过程中使用的非挥发性材料，因此它们更难制造。40Xesmc

此外，该公司半导体软件产品部高级总监 Joseph Ervin介绍，通过使用具有多重图案化的 193nm 浸没式光刻 (193i)，芯片制造商已经能够生成低至 7nm 的高级功能。使用 193i 光刻技术在 5nm 及以后的节点上变得越来越成问题，因为较小的特征尺寸需要大量的图案化和工艺步骤。40Xesmc

• 随着极紫外 (EUV) 光刻技术的出现，现在可以对 3 纳米及以后最困难的特征进行图案化。
• 因此，EUV 已成为图案化最新节点的行业选择，因为它提高了尺寸分辨率并简化了图案化和加工。

不幸的是，仅靠过渡到 EUV 光刻曝光可能是不够的。193i 是一种长寿命的光刻技术，单靠 193i 的光刻微缩不足以微缩早期半导体节点的逻辑。40Xesmc

• 193i光刻需要不同的集成技术，例如自对准双重图形化（SADP）和自对准四重图形化（SAQP）、cut-block、材料创新、设计技术协同优化（DTCO）、自对准图形化， 和别的。
• 图案化规格在 3nm 非常具有挑战性，工艺接近物理边界。在 EUV 处理过程中，良率会受到不必要的变化和随机引起的缺陷的影响，从而产生意外的线边缘粗糙度 (LER)、线宽粗糙度 (LWR) 和边缘放置错误 (EPE)。
• 结合这些问题，必须共同优化光刻、图案化和下游工艺，以获得可接受的产量和成本结果。

预测过程模型、数字孪生、自动可变性控制和材料优化技术可用于使用 EUV 光刻技术开发下一代设备。40Xesmc

• 材料创新、整体图案化、集成、制造控制和 DTCO 在 3nm 及以下将继续需要，即使使用 EUV 光刻也是如此。
• 通过结合 EUV 干式光刻胶技术、先进的工艺模型、整体图案化和共同优化的集成，Ervin 说 EUV 光刻应该能够扩展到 3nm 甚至更高。

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