年关将至，DRAM及NANDFlash价格走势如何？

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DRAM 整体价格曲线缓步下滑HBCesmc

年底到来，各厂区进入盘点时序，动能表现停滞，目前也仍因供过于求的现象存在，仅能不断下修需求，购货动作相对有限，而大陆地区报价虽然减少，但整体价格曲线依旧缓步下滑，跌价态势似乎未有缓解迹象。HBCesmc

DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC市场价格维持在USD1.90~1.93；Samsung 1Gx8 3200 WC-BCWE报价落在USD1.98左右，WC-BCTD报价亦同样维持在USD1.94附近。HBCesmc

DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC价格维持在USD1.34上下，WF-BCTD报价亦同样维持在USD1.32左右。HBCesmc

DDR4 512x16 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC报价落在USD2.05~2.10上下，CJR-VKC一般报价维持在USD2.3x附近；Samsung WC-BCWE价格落在USD1.86上下，WC-BCTD市场价格维持在USD1.82。HBCesmc

DDR4 256x16部分，Samsung WF-BCTD价格维持在USD1.24~1.25附近。HBCesmc

模组现货价格参考：HBCesmc

KST DDR4 8G 2666 $17.00HBCesmc

KST DDR4 16G 2666 $34.00HBCesmc

KST DDR4 32G 2666 $71.50HBCesmc

KST DDR4 8G 3200 $17.50HBCesmc

KST DDR4 16G 3200 $35.00HBCesmc

KST DDR4 32G 3200 $73.50HBCesmc

NAND Flash 买气动能断断续续HBCesmc

本周适逢年底岁休盘点时程，工厂端进货时程大多于上周五截止，加上欧美及香港地区圣诞连假影响，市场整体表现较为安静，偶有零星询单于SLC、eMMC或相应成品，但因交易条件时程多有限制，且买方预期未来仍有跌势，目标大多偏低，且议价动作较不积极，造成买气动能呈现断断续续，交易情况亦不理想，整体盘势大致维持平缓格局，偶有微幅振荡修正。HBCesmc

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其中，Samsung部分，供需双方大多停止交易，仅剩零星询单，市场价格并未出现下修情况，仍以平盘格局释出。HBCesmc

SK Hynix SLC低容量仍有些许询单，但因需求数量过少，双方态度被动且议价空间过于狭隘，交易情况略显停滞。HBCesmc

Micron SLC 2G/4G报价疲软，买方皆无意愿承接，交易情况不佳。HBCesmc

Kioxia SLC工厂持续调节库存降至安全库存水位以下，盘势呈现小幅震荡。HBCesmc

TF卡 整体价格变化较小HBCesmc

本周TF卡表现相对安静，临近年末，厂商陆续进入年底盘点阶段，买卖双方动作皆不积极，整体买气稍显停滞，市场报价不多，整体价格变化不大，成交情况较为萧条。HBCesmc

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