此前华为在Mate9手机闪存的宣传中使用了“结合比上一代技术提速100%的UFS2.1高速闪存”来介绍自己的商品，一些消费者在使用后认为其虚假宣传，而将其告上法庭，日前这起事件得到了法院的宣判，法院认为......

繁荣与萧条交错——这正是记忆体产业长期以来的景气循环。除了需求多样化以及中国供应商崛起，市场的周期性起落会一直是常态吗？

全球第二大NAND闪存制造商东芝存储器今日表示，公司已经在准备IPO事宜，最快将在2年内上市......

紫光旗下紫光国微半导体日前表示，在DRAM内存芯片上，该公司已具备世界主流设计水平，但是产能无法保证，产品销量不大......

长江存储科技有限责任公司收到了1.86亿元的退税款，7月底至今，武汉东湖高新区共计办理增值税留抵退税超10亿元，其中集成电路企业留抵退税占据半壁江山......

根据SEMI指出，中国大陆晶圆厂产能今年将成长至全球半导体晶圆产能之16%，并预测至2020年底将提高至20%...

Nantero在今年Hot Chips大会描述基于碳纳米管(CNT)的新一代非挥发性随机存取内存(NRAM)细节，并看好它将成为DRAM的未来替代技术......

Intel发布的首款消费级QLC固态硬盘——660p，采用全新的主控制器及64层堆叠的QLC NAND颗粒，不过前第一代64层QLC闪存的良率只有48%......

预计闪存将占据资本支出的最大份额，而DRAM资本支出今年以最高的速度增长，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险很高并且不断增长......

美光科技近日透露了一个重要计划，表示在未来的12年内将在没过过弗吉尼亚州投资30亿美元扩建汽车芯片工厂，未来汽车芯片将成为美光科技未来发展的重要一环......

武汉新芯集成电路制造有限公司启动二期扩产项目，预计总投资17.8亿美元，计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业......

紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元，历时2年研发成功了国内第一颗32层3DNAND闪存芯片，将在2018年第四季度实现量产，在2019年会量产64层128G的存储器，并同步研发128层256G的存储器......

15 家公司中有 11 家公司在今年实现两位数的增长，有七家年增长率为 20% 以上，包括五大内存供应商三星电子、SK 海力士、美光、东芝/东芝内存和西部数据/闪迪(Western Digital/SanDisk) ，以及 Nvidia和 ST……

内存供应商三星原本计划第三季度完成每月增产3万片DRAM计划，有确定消息传出，此扩产计划已经延至今年底。厂商供给放缓，有望延续价格涨势，但同时咨询机构也给出Q4 DRAM价格恐将松动的预期……

NAND Flash市场第三季，智能手机、笔记本电脑等主要消费性产品出货量的季度成长有限，加上模组厂库存水位高，供过于求态势将延续，使得各产品合约价第三季继续下探，NAND Flash价格平均跌幅预估将近10%......

DRAMeXchange调查显示，2018年Q2由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM营收较上季成长11.3%，再创新高…

因原厂可透过封装打线形式的改变(bonding option)做产品类别更换。DDR3则呈现相对稳健的供需结构，报价预期没有明显变动，第三季利基型内存价格走势预估将持平......

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型内存合约价，价格大致和6月相同。

海力士将在公司总部韩国兴建新的半导体制造工厂，将在2018年底动工、预计于2020年10月完工，投资金额为3.5万亿韩元(相当于31亿美元)......

据长江存储官方消息，Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率

东芝在日本岩手县奠基一座新的BiCS 3D闪存工厂，计划2019年末竣工，K1工厂初期建设投资70亿日元设备安装完成后将在2020年底投产......

国际电子商情报道，日前，消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片，启动试产8Gb DDR4工程样品。这将是第一个中国自主研发的DRAM芯片。 与此同时，长鑫存储和睿力集成的新CEO上任，据可靠消息，此位CEO正是兆易创新的董事长朱一明先生。现在，存储器投片、管理者就位，这似乎预示着长鑫存储的国产DRAM正式踏上征程。

Intel联合美光宣布，将携手开发第二代3D Xpoint闪存芯片，并预计在2019上半年面世......

韩国第二大存储芯片巨头SK海力士宣布，将与中国成立新的合资企业，并于今年下半年兴建新的200毫米晶圆代工生产线。

近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。