紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元，历时2年研发成功了国内第一颗32层3DNAND闪存芯片，将在2018年第四季度实现量产，在2019年会量产64层128G的存储器，并同步研发128层256G的存储器......

15 家公司中有 11 家公司在今年实现两位数的增长，有七家年增长率为 20% 以上，包括五大内存供应商三星电子、SK 海力士、美光、东芝/东芝内存和西部数据/闪迪(Western Digital/SanDisk) ，以及 Nvidia和 ST……

内存供应商三星原本计划第三季度完成每月增产3万片DRAM计划，有确定消息传出，此扩产计划已经延至今年底。厂商供给放缓，有望延续价格涨势，但同时咨询机构也给出Q4 DRAM价格恐将松动的预期……

NAND Flash市场第三季，智能手机、笔记本电脑等主要消费性产品出货量的季度成长有限，加上模组厂库存水位高，供过于求态势将延续，使得各产品合约价第三季继续下探，NAND Flash价格平均跌幅预估将近10%......

DRAMeXchange调查显示，2018年Q2由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM营收较上季成长11.3%，再创新高…

因原厂可透过封装打线形式的改变(bonding option)做产品类别更换。DDR3则呈现相对稳健的供需结构，报价预期没有明显变动，第三季利基型内存价格走势预估将持平......

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型内存合约价，价格大致和6月相同。

海力士将在公司总部韩国兴建新的半导体制造工厂，将在2018年底动工、预计于2020年10月完工，投资金额为3.5万亿韩元(相当于31亿美元)......

据长江存储官方消息，Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率

东芝在日本岩手县奠基一座新的BiCS 3D闪存工厂，计划2019年末竣工，K1工厂初期建设投资70亿日元设备安装完成后将在2020年底投产......

国际电子商情报道，日前，消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片，启动试产8Gb DDR4工程样品。这将是第一个中国自主研发的DRAM芯片。 与此同时，长鑫存储和睿力集成的新CEO上任，据可靠消息，此位CEO正是兆易创新的董事长朱一明先生。现在，存储器投片、管理者就位，这似乎预示着长鑫存储的国产DRAM正式踏上征程。

Intel联合美光宣布，将携手开发第二代3D Xpoint闪存芯片，并预计在2019上半年面世......

韩国第二大存储芯片巨头SK海力士宣布，将与中国成立新的合资企业，并于今年下半年兴建新的200毫米晶圆代工生产线。

近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。

针对联电与晋华提起的专利侵权案所发布的临时禁令，美光已经递交证据至中国国家知识产权局专利复审委员会，并表示受影响的产品约占美光年度营收逾1%......

福州市中级人民法院裁定美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息......

受惠于买方急欲增加库存水位以及第三季传统旺季需求来临，即便供给位元成长逐季增加，平均销售单价仍可望小幅上扬......

集邦咨询调查显示，下半年NAND Flash市场受需求动能相对平淡，以及供货商64/72层3D NAND良率及产出继续提升影响，市场将从原先预期的供给紧缩来到接近供需平衡的状态......

昨日晚间兆易创新发布2018年股票期权与限制性股票激励计划(草案)，激励对象为公司中层管理人员及核心技术骨干，共计193人，拟向激励对象授予权益总计430万股......

据调查由于服务器用内存平均出货供给达标率(Fulfillment Rate)逐季攀升，现阶段供给吃紧的状况有机会在下半年获得缓解......

受惠于存储器市场价格仍就维持高位的影响，美光2018 财年第 3 季营收金额达到 77.97 亿美元，同比增长达 40%......

存储器市场DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季......

取代在微控制器(MCU)与ASIC中储存程式码的NOR快闪记忆体(flash)，新兴记忆体可望在嵌入式应用中找到大量市场......

富士通于13日宣布研发出型号为MB85RS64TU的64-Kbit FRAM，此款存储器能在摄氏零下55度中运行，现已量产供货......

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品......