SK 海力士周三表示，尽管该季度是传统上需求低迷的季节，但由于存储芯片价格下降幅度低于预期，其第一季度的营业利润比一年前增加了一倍多。GrTesmc
这家韩国芯片制造商本季度的收入分别为 12.16 万亿韩元和 2.86 万亿韩元，同比分别增长 43% 和 116%。这是该公司迄今为止1-3月期间的最佳表现。GrTesmc
尽管第一季度对 IT 产品的需求放缓且供应链问题持续存在，但 SK 海力士表示，它灵活地响应了存储芯片的需求，并专注于盈利能力管理。GrTesmc
然而，该公司的最新收益还包括一次性拨备 3800 亿韩元，用于支付因质量问题向客户提供的 DRAM 芯片的更换成本。GrTesmc
与此同时，这家芯片制造商表示，预计整体内存市场将呈现持续增长，波动性将低于过去。GrTesmc
该公司表示，对服务器芯片的需求正在上升，预计到今年下半年，内存芯片的市场状况将变得越来越有利。GrTesmc
虽然由于芯片短缺，在采购晶圆厂设备方面存在一些小问题，但 SK 海力士表示，其下一代产品的开发周期目前正在按计划进行。GrTesmc
该芯片制造商补充说，它正在提高其最新的高端芯片、10nm DRAM 和 176 层 NAND 的良率，并扩大产量以满足需求。GrTesmc
SK 海力士将 EUV 应用于 DRAM 生产GrTesmc
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图片来源：SK海力士GrTesmc
SK 海力士在2021年7月开始生产其 10 纳米 8GB LPPDR4 移动 DRAM，这家韩国内存巨头补充说，它在生产最新芯片时采用了极紫外 (EUV) 工艺。GrTesmc
最新的芯片标志着 SK 海力士首次在其 DRAM 生产中应用 EUV。三星去年开始在其内存生产中应用先进工艺 ，美光表示计划在 2024 年应用 EUV。GrTesmc
EUV 设备用于芯片生产期间的光刻工艺，其中电路图案被转移到晶圆上。通过使用 EUV，公司可以转移更精确的图案，从而使芯片设计得更小，并将更多的芯片绘制在晶圆上。GrTesmc
除了内存，在逻辑芯片中，台湾半导体制造公司和三星也广泛采用该工艺来 生产先进的处理器。GrTesmc
据 SK Hynix 称，EUV 的应用使其能够在最新的 10nm LPPDR4 的单晶片上获得比其前身多 25% 的 DRAM 单元。该公司还表示，其最新的 DRAM 也可能有助于缓解目前全球市场的供需状况。GrTesmc
这家韩国公司表示，SK 海力士所有采用最新 10nm 工艺的新 DRAM 产品都将使用 EUV 制造。GrTesmc
SK 海力士表示，在规格方面，新的 LPDDR4 移动 DRAM 运行速度为 4,266Mbps，功耗比其前身低 20%。 GrTesmc
该芯片将于下半年供应给智能手机制造商。它补充说，该公司还将 从 2022 年开始将其最新的 10nm 工艺应用于其DDR5 生产。GrTesmc
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