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华邦、南亚将于下半年新建12英寸晶圆厂,以提升DRAM产能

据业内消息人士称,随着对大容量存储设备的需求不断增加,台湾的专业 DRAM 制造商正在提高产量以争取更多的市场份额。华邦电子将于 2022 年第四季度在高雄开设新的 12 英寸晶圆厂后,将增加其 2Gb-4Gb 产品的供应。同时,南亚科技将于 6 月 23 日在新北市破土动工的 12 英寸晶圆厂。

据业内消息人士称,随着对大容量存储设备的需求不断增加,台湾的专业 DRAM 制造商正在提高产量以争取更多的市场份额。华邦电子将于 2022 年第四季度在高雄开设新的 12 英寸晶圆厂后,将增加其 2Gb-4Gb 产品的供应。同时,南亚科技将于 6 月 23 日在新北市破土动工的 12 英寸晶圆厂。taResmc

第二季度的特种 DRAM 价格仅上涨了 5%——没有之前估计的那么多。消息人士称,客户可能会继续对长期供应的需求,而在上海解除封锁后,中国的物流可能会进一步改善。taResmc

他们表示,第三季度DDR3内存价格预计将持平,但面对消费电子需求下降,一些供应商可能会下调单价。taResmc

虽然据说 DDR3 内存的客户正在转向 DDR4 产品线,但这种转变需要新的设计和认证,这可能很耗时。因此,消息人士称,预计供应商将继续扩大 DDR3 产能,只有一半的 DDR3 应用会在两三年内切换到 DDR4。taResmc

专用 DRAM 用于广泛的领域,例如消费电子产品、汽车、网络设备和手持设备。特别是,网络设备和服务器在 2022 年需求旺盛。taResmc

华邦表示,其高雄工厂将采用 25S-nm 技术来提高产量。该公司表示,其 DDR3 出货量约占其 DRAM 总收入的 30%,预计到 2024 年将达到 50%。taResmc

根据华邦的蓝图,新晶圆厂的产能将从最初的24,000片增加到34,000片,2024年后进一步增加到38,000-40,000片。继25S-nm工艺之后,将推进20nm工艺,并在2024年底或进入量产阶段。计划在 2025 年推出 DDR4 产品。尽管如此,该公司还承诺将在未来 10 年左右继续生产 DDR3。taResmc

Nanya 表示将重点介绍内部设计的 10nm DRAM,并将它们用于试验产品 8Gb DDR4 进行试验。同时,将减少 30nm 产品的产量,同时进行 DDR5 开发。taResmc

Nanya 表示,到目前为止,其 10 纳米级产品对其收入的贡献不到 10%,但该目标可能会在 2022 年底或 2023 年初实现。taResmc

Nanya 将斥资 3000 亿新台币(101 亿美元)建设新的 12 英寸晶圆厂。开工仪式定于 6 月 23 日举行,此前由于施工许可证审查时间延长,推迟了两三个季度。taResmc

据南亚称,该晶圆厂的量产将从 2024 年推迟到 2025 年,初始产量估计为每月 45,000 片。taResmc

责编:Editordan
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