据存储芯片制造商称，英伟达最近完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估。SK 海力士将为预计于 2022 年第三季度开始出货的 NVIDIA 系统提供 HBM3。ESaesmc
SK 海力士还透露，在 10 月份宣布开发此类内存约七个月后，它已开始大规模生产 HBM3。ESaesmc
SK 海力士表示，NVIDIA的 H100 是世界上最大、最强大的加速器，并补充说其 HBM3 有望以高达 819GB/s 的内存带宽提高加速计算性能。ESaesmc
SK 海力士总裁兼首席营销官 Kevin (Jongwon) Noh 在一份声明中表示：“公司通过与英伟达的密切合作，在高端 DRAM 市场确保了一流的竞争力。我们的目标是成为深入了解和解决客户问题的解决方案提供商。”通过持续的开放合作来满足需求。”ESaesmc
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SK海力士HBM3内存ESaesmc
HBM3内存标准ESaesmc
JEDEC发布的HBM3高带宽内存标准，相比HBM2和HBM2e标准有大幅的提升。ESaesmc
JEDEC表示，HBM3是一种创新的方法，是更高带宽、更低功耗和单位面积容量的解决方案，对于高数据处理速率要求的应用场景来说至关重要，比如图形处理和高性能计算的服务器。新一代HBM3内存主要属性包括：ESaesmc
- 将经过验证的HBM2架构扩展到更高的带宽，将HBM2的每引脚数据速率提高一倍，并定义高达6.4 Gb/s的数据传输速率，相当于819GB/s。
- 将独立通道的数量从HBM2的8个增加到16个，每个通道有两个伪通道，HBM3实际上支持32个通道。
- 支持4层、8层和12层TSV堆栈，并为未来扩展至16层TSV堆栈做好准备。
- 支持单层8Gb到32Gb的存储密度，意味着容量从4GB（4层8Gb）到64GB（16层32Gb），预计第一代HBM3设备将基于单层16Gb。
- 为了满足市场对高级平台RAS（可靠性、可用性、可维护性）的需求，HBM3引入了片上纠错技术（ECC），以及实时错误报告和透明度。
- 通过在主机接口上使用低摆幅（0.4V）信号和较低 （1.1V）工作电压来提高能效。
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SK海力士是对于HBM内存的研发一直非常积极，早在2021年6月份就展示了第一款HBM3内存，提供了665 GB/s的带宽。随后在2021年10月份，SK海力士已宣布成功开发出了HBM3内存，成为全球首家开发出新一代HBM内存的公司。ESaesmc
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