韩国领先的代工芯片制造商之一DB Hitek 将在其位于忠清北道的8英寸半导体工厂建设下一代功率 MOSFET 生产线，目标是到 2025 年为汽车应用提供 1200V SiC MOSFET。MNoesmc
据ET News报道，DB HiTek副董事长Chang-sik Choi近日指出，公司目前正在测试和试制6英寸功率半导体，8英寸晶圆的生产可能会提前开始。 .MNoesmc
报道称，DB Hitek正在与釜山科技园合作评估其产品性能，该公司此前被韩国贸易、工业和能源部选中负责8英寸SiC MOSFET量产基地建设项目。 .MNoesmc
报告指出，DB Hitek 正在利用其位于富川和 Sangwoo 的 8 英寸半导体工厂生产由国内外客户设计的功率半导体、CMOS 图像传感器和显示驱动器 IC (DDI)。MNoesmc
富川厂目前月产能为80,000台，而Sangwoo工厂每月可生产58,000台。报告称，预计 DB Hitek 将利用 Sangwoo 工厂的未使用空间来构建下一代 SiC 半导体基础设施。MNoesmc
1200V MOSFET 是一种功率半导体，可用于家用电器、航空、能源和电动汽车 (EV) 应用。美国的功率半导体公司 Wolfspeed、II-VI 和 Onsemi 可以生产 8 英寸 MOSFET，而韩国的 Yes Power Tecjnix、Power Cube Semi 和 KEC 正在继续开发生产 6 英寸及更大产品的技术。MNoesmc
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