三星电子宣布已开始其 3nm 工艺节点的初始芯片生产，该节点采用环栅 (GAA) 晶体管架构。三星首次实施的 GAA 技术多桥 C 通道 FET (MBCFET) 突破了 FinFET 的性能限制，通过降低电源电压水平来提高功率效率，同时通过增加驱动电流能力来提高性能，韩国表示科技公司。lu4esmc
三星表示，它正在开始将纳米片晶体管与半导体芯片一起用于高性能、低功耗计算应用，并计划扩展到移动处理器。lu4esmc
“随着我们在将下一代技术应用于制造业（例如代工行业的第一个高 K 金属栅极、FinFET 以及 EUV）方面继续展示领先地位，三星迅速发展。我们寻求通过世界上第一个 3nm 工艺继续保持这种领先地位与 MBCFET 合作，”三星电子总裁兼代工业务负责人 Siyoung Choi 表示。“我们将继续在有竞争力的技术开发中积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”lu4esmc
最大化 PPA 的设计技术优化
三星表示，其专有技术使用具有更宽通道的纳米片，与使用具有更窄通道的纳米线的 GAA 技术相比，可以实现更高的性能和更高的能源效率。利用 3nm GAA 技术，三星将能够调整纳米片的通道宽度，以优化功耗和性能，以满足各种客户需求。lu4esmc
此外，GAA 的设计灵活性对于设计技术协同优化 (DTCO) 非常有利，有助于提升功耗、性能、面积 (PPA) 优势。与5nm工艺相比，第一代3nm工艺相比5nm可以降低高达45%的功耗，提升23%的性能，减少16%的面积，而第二代3nm工艺是为了降低功耗高达到 50%，性能提高 30%，面积减少 35%，三星表示。lu4esmc
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