美光科技已开始量产该公司声称的世界上第一款 232 层 NAND 闪存。vFIesmc
“美光的 232 层 NAND 是存储创新的分水岭，它首次证明了在生产中将 3D NAND 扩展到超过 200 层的能力，”美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 说。“这项突破性技术需要广泛的创新，包括创建高纵横比结构的先进工艺能力、新型材料的进步以及基于我们市场领先的 176 层 NAND 技术的领先设计改进。”vFIesmc
美光表示，其 232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和 PC 上的响应式、沉浸式体验。该技术节点能够引入业界最快的 NAND I/O 速度 - 2.4 GB/秒 (GB/s) - 以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，该公司声称，非结构化数据库和实时分析以及云计算。这一速度比美光 176 层节点上启用的最快接口快 50%。vFIesmc
与上一代相比，美光的 232 层 NAND 还提供高达 100% 的写入带宽和超过 75% 的读取带宽。该公司表示，这些每个芯片的优势转化为 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能源效率提升。vFIesmc
此外，美光声称其 232 层 NAND 推出了世界上第一个六平面 TLC 生产的 NAND。高 I/O 速度、读写延迟和美光的六平面架构相结合，可在许多配置中提供一流的数据传输。这种结构确保了写入和读取命令之间的冲突更少，并推动了系统级服务质量的改进。vFIesmc
该公司表示，美光的 232 层 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的生产设备，这是一种低压接口，与以前的 I/O 接口相比，每比特传输节省 30% 以上。因此，232 层 NAND 解决方案为数据中心和智能边缘的移动应用和部署提供了理想的支持，必须在提高性能和低功耗之间取得平衡。该接口还向后兼容以支持旧控制器和系统。vFIesmc
美光表示，232 层 NAND 的紧凑外形为客户的设计提供了灵活性，同时实现了有史以来最高的每平方毫米 TLC 密度（每平方毫米 14.6Gb）。面密度比当今市场上的竞争 TLC 产品高 35% 到 100%。据美光称，232 层 NAND 采用新的 11.5x13.5mm 封装，其封装尺寸比美光前几代产品小 28%，使其成为市面上最小的高密度 NAND。vFIesmc
美光透露，其 232 层 NAND 现已在该公司的新加坡工厂量产。它最初以组件形式通过其 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。随后将发布其他产品和可用性公告。vFIesmc
Sumit Sadana 表示：“美光在 NAND 层数方面取得了持续的技术领先地位，从而实现了更长的电池寿命和更紧凑的移动设备存储、更好的云计算性能以及更快的 AI 模型训练等优势。” ，美光首席商务官。“我们的 232 层 NAND 是支持跨行业数字化转型的端到端存储创新的新基础和标准。”vFIesmc
责编：Quentin
