SK 海力士宣布开发其 238 层 4D NAND 闪存，512Gb 三级单元 (TLC) 芯片样品已经开始出货。3zHesmc
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SK 海力士 238 层 4D NAND 闪存3zHesmc
SK海力士预计2023年上半年开始量产238层512Gb TLC 4D NAND闪存芯片。3zHesmc
该公司声称，新的 SK 海力士 NAND 产品虽然最高层数达到 238 层，但却是尺寸最小的 NAND，这意味着其整体生产力与 176 层 NAND 相比提高了 34%。238层产品的数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代提升了50%。3zHesmc
SK 海力士的 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存将首先用于作为 PC 存储设备的客户端 SSD，然后再提供给智能手机和服务器的大容量 SSD。该公司还计划明年推出 1 TB (Tb) 的 238 层产品，与目前的 512Gb 产品相比，密度增加了一倍。3zHesmc
SK 海力士在圣克拉拉举行的 2022 年闪存峰会上推出了 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存。3zHesmc
同样在此次活动中，Kioxia 公司推出了其第二代 XL-Flash，这是一种基于其 BiCS Flash 3D 闪存技术的存储级内存 (SCM) 解决方案。新的 XL-Flash 将拥有 256 Gb 的内存容量。样品发货计划于 2022 年 11 月开始。3zHesmc
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