美光科技于 9 月 12 日宣布，其位于爱达荷州博伊西的领先内存制造工厂已破土动工。美光透露，博伊西制造投资是美光未来十年将美国 DRAM 产量提高到公司全球产量的 40% 战略的一部分。新工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外光刻 (EUV)。英特尔也于 9 月 9 日在俄亥俄州为两家领先的晶圆厂举行了奠基仪式。ETvesmc
美光计划于 2023 年初启动新工厂的建设，洁净室空间将于 2025 年开始分阶段投产。ETvesmc
该公司表示，新 DRAM 的生产计划于 2025 年开始，并补充说洁净室空间最终将达到 600,000 平方米脚。ETvesmc
公司总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“有了这个设施，美光将紧密结合研发和制造，提供协同效应，使我们能够加快先进内存技术的生产速度。” “通过 CHIPS 和科学法案提供的预期拨款和信贷使这项投资成为可能，也增强了美光的供应链弹性，并将为美国建立新的战略能力。”ETvesmc
英特尔于 9 月 9 日在俄亥俄州为两家领先的晶圆厂举行了奠基仪式。ETvesmc
在美国《芯片与科学法案》正式签署生效之后，当地时间上周五，美国总统乔·拜登和英特尔首席执行官帕特·基辛格出席了在俄亥俄州新奥尔巴尼举行的英特尔新晶圆厂的奠基仪式。该活动标志着英特尔最先进的半导体设施项目的正式启动。ETvesmc
“在俄亥俄州，英特尔计划投资超过 200 亿美元建设一个新的半导体制造基地，以生产领先的芯片，预计将创造 7,000 个建筑工作岗位和 3,000 个制造和工程方面的长期职位，”该公司表示。“除了为英特尔的下一代产品提供产能外，公司还希望这些新工厂能够支持对公司新的代工业务——英特尔代工服务 (IFS) 不断增长的需求。”ETvesmc
数月前，英特尔宣布将斥资 200 亿美元在俄亥俄州建造两座先进制程晶圆厂，并表示其投资“在未来十年内可能增长到高达 1000 亿美元”，但这部分取决于关于联邦的芯片补贴。由于此前美国芯片法案迟迟未能获得通过，英特尔在6月就决定推迟了原计划于7月22日据悉的俄亥俄州晶圆厂奠基仪式。ETvesmc
据了解，英特尔此次投建的两座俄亥俄州晶圆厂为该州史最大规模民间投资案，预计2025年开始营运，新的制造设施将生产用于汽车技术、计算机和移动设备的半导体和其他组件。基地规模高达1,000英亩（约404公顷），足够支持多达 8 个制造厂。这也为英特尔后续进一步扩建提供了便利条件。ETvesmc
根据英特尔的初步计划，此次耗资200 亿美元的两座晶圆厂将雇用 3,000 多名技术工人，平均年薪 135,000 美元。ETvesmc
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