三星电子第8代Vertical NAND 量产计划及市场竞争情况分析-国际电子商情

美国美光公司今年7月表示，已经开始生产232层NAND，SK海力士今年8月宣布开发出238层NAND。而三星电子此前生产的第7代产品是176层堆栈。三星电子于 11 月 7 日在 2022 年闪存峰会和 2022 年三星内存技术日宣布，它已开始量产 1 兆位 (Tb) 三级单元 (TLC) 第八代垂直 NAND (V-NAND)最高位密度。新的 V-NAND 容量为 1Tb，还具有迄今为止最高的存储容量，可为全球下一代企业服务器系统提供更大的存储空间。

三星电子于 11 月 7 日在 2022 年闪存峰会和 2022 年三星内存技术日宣布，它已开始量产 1 兆位 (Tb) 三级单元 (TLC) 第八代垂直 NAND (V-NAND)最高位密度。新的 V-NAND 容量为 1Tb，还具有迄今为止最高的存储容量，可为全球下一代企业服务器系统提供更大的存储空间。4DFesmc

第8代V-NAND的1TB三层式存储单元（Triple Level Cell）在一个Cell中存放3bit数据，是单位面积存储密度达到业界最高水平的大容量闪存。第8代产品采用最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口，数据存取速度达到2.4 Gbps（千兆比特每秒），比上一代提升约1.2倍。同时支持PCIe 4.0插槽，今后还将支持PCIe 5.0接口。4DFesmc

“随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的 V-NAND 层数，三星采用其先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度，同时避免通常在缩减时发生的单元间干扰”三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 说。“我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”4DFesmc

三星通过显着提高每片晶圆的比特生产率，实现了业界最高的比特密度。基于 Toggle DDR 5.0 接口——最新的 NAND 闪存标准——三星的第八代 V-NAND 具有高达 2.4 Gbps 的输入和输出 (I/O) 速度，比上一代提升了 1.2 倍一代。这将使新的 V-NAND 能够满足 PCIe 4.0 以及更高版本的 PCIe 5.0 的性能要求。4DFesmc

第八代 V-NAND 有望成为存储配置的基石，有助于扩展下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到可靠性尤为关键的汽车市场。4DFesmc

市场分析4DFesmc

据报道，近来半导体行业掀起闪存堆栈层数竞争。4DFesmc

美国美光公司今年7月表示，已经开始生产232层NAND，SK海力士今年8月宣布开发出238层NAND。而三星电子此前生产的第7代产品是176层堆栈。4DFesmc

三星此次虽未披露第8代的堆栈层数，不过此前已多次强调拥有制造200层以上闪存的技术力量。4DFesmc

根据市场调查机构Omdia的数据，受智能手机普及和数据中心扩大等影响，NAND市场从2016年的368亿美元大幅增至2021年的684亿美元。NAND不仅具有关机时也能储存数据的优点，而且因其形态小巧，被广泛应用于智能手机、USB、固态硬盘（SSD)中。以今年第二季度为准，在NAND市场，三星电子以33.3%的份额居首位，SK海力士（包括Solidigm）和日本铠侠分别以20.4%和16.0%紧随其后。此外，随着更多汽车上搭载高性能存储器，NAND需求有望进一步增加。三星电子预测称，2030年以后，NAND存储器的主要需求对象将是服务器、移动设备和电装领域。4DFesmc

三星电子计划在2024年开始量产第9代NAND。另外，三星电子还计划到2030年开发出超过1千层的V-NAND。1千层 NAND 的存储容量将是第7代 NAND 的5倍以上。4DFesmc

责编：EditorTiger

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