据英飞凌介绍，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash），并将在台积电的28nm节点上制造。dVuesmc
虽然基于台积电28nm eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器的样品已经交付给主要客户，但基于台积公司28nm RRAM技术的首批样品将于2023年底提供给客户。英飞凌表示，Autrix TCPx系列微控制器专为ADAS设计，并提供新的E/E架构和价格合理的AI应用。dVuesmc
自推出第一批发动机管理系统以来，嵌入式闪存微控制器一直被用作汽车中的ECU，市场上的大多数MCU系列都基于eFlash技术，但该技术一直难以迁移到28nm以下，而且也被认为不如RRAM高效。英飞凌认为，与台积电的合作成功地奠定了RRAM在汽车领域的基础，并将其Autrix系列微控制器置于更广泛的供应基础上。dVuesmc
台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang表示，台积电和英飞凌在RRAM技术方面已经合作了近十年，在一系列不同的应用中，将TC4x转移到RRAM将为将微控制器缩小到更小的节点带来新的机遇。dVuesmc
目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。该铸造厂还在探索相变RAM（PCRAM）和自旋轨道扭矩MRAM（SOT-MRAM）技术。dVuesmc
2018年，台积电开始批量生产汽车用40nm eFlash技术，但其完全兼容CMOS工艺的40nm超低功耗嵌入式RRAM技术已于2017年底进入风险生产阶段。2021，该铸造厂的40nm RRAM技术成功进入批量生产阶段，28nm和22nm节点也可作为物联网市场的低成本解决方案。dVuesmc
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