在 2022 年 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM) 上，英特尔公布了 2D 和 3D IC 封装技术方面的研究突破，推动了其创新渠道，以兑现其到 2030 年在集成电路 (IC) 上放置万亿个晶体管的承诺。DVSesmc
英特尔展示了 3D 封装技术的进步，密度提高了 10 倍；超越 RibbonFET 的二维晶体管新材料，包括仅 3 个原子厚的超薄材料；用于更高性能计算的能源效率和内存的新可能性；根据公司新闻稿，量子计算的进步。DVSesmc
在 IEDM 2022 上，英特尔的组件研究小组展示了其在三个关键领域的创新，包括新的 3D 混合键合封装技术，以实现小芯片的无缝集成；超薄二维材料，可将更多晶体管装入单个芯片；以及用于更高性能计算的能源效率和内存的新可能性。DVSesmc
Components Research Group 的研究人员发现了新材料和新工艺，它们模糊了封装和硅之间的界限。DVSesmc
“我们揭示了将摩尔定律扩展到封装上万亿晶体管的关键后续步骤，包括可以实现额外 10 倍互连密度的先进封装，从而产生准单片芯片 (QMC)。英特尔的材料创新也确定了实用性使用只有 3 个原子厚的新型材料可以满足晶体管缩放要求的设计选择，使公司能够继续扩展到 RibbonFET 之外，”英特尔组件研究小组在新闻稿中说。DVSesmc
英特尔还通过取得突破证明其增益是行业标准 GaN 的 20 倍，并创下了高性能功率传输的行业记录，从而为 300 毫米硅基 GaN 晶圆打造了一条可行的道路。DVSesmc
在量子计算领域，英特尔表示，它将继续引入新的物理学概念，并通过更好地了解可能作为影响量子数据的环境干扰的各种界面缺陷，在提供更好的量子信息存储方式方面取得突破。DVSesmc
Tom's Hardware在分析中写道，QMC 是一种新的混合键合技术，其间距小于 3 微米，与英特尔在去年 IEDM 上提交的研究相比，能效和性能密度提高了 10 倍。该论文涵盖了一种采用 10 微米间距的方法，这已经是 10 倍的改进。正如今年的论文所展示的那样，英特尔已经找到了在短短几年内将性能提高 100 倍的途径。DVSesmc
然而，Tom's Hardware的副总编辑 Paul Acorn 指出，英特尔的组件研究小组为公司未来的技术奠定了初步基础，但并非所有这些举措都会导致产品上市。“那些真正上市的产品通常会在 5 到 10 年内上市。”DVSesmc
责编：EditorTiger
