本周的CES展上，ONSEMI 将推出“EliteSiC”作为其碳化硅 (SiC) 系列，同时展示该系列的三个新成员——1700 V EliteSiC MOSFET 和两个 1700 V 雪崩级 EliteSiC 肖特基二极管。新器件为能源基础设施和工业驱动应用提供高效率性能，凸显了安森美在工业碳化硅解决方案方面的领先地位。fsHesmc
凭借 1700 V EliteSiC MOSFET (NTH4L028N170M1)，onsemi 提供了高功率工业应用所需的更高击穿电压 (BV) SiC 解决方案。两个 1700 V 雪崩级 EliteSiC 肖特基二极管（NDSH25170A、NDSH10170A）使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，同时提供由 SiC 实现的高效率。fsHesmc
“通过提供一流的效率和更低的功率损耗，新的 1700 V EliteSiC 器件加强了我们 EliteSiC 系列产品的卓越性能和质量的高标准，并进一步扩展了 onsemi 的 EliteSiC 的深度和广度，”说ONSEMI 执行副总裁兼电源解决方案事业部总经理 Simon Keeton。fsHesmc
可再生能源应用不断转向更高电压，太阳能系统从 1100 V 到 1500 V 直流母线。为了支持这一变化，客户需要具有更高 BV 的 MOSFET。新型 1700 V EliteSiC MOSFET 提供 -15 V/25 V 的最大 Vgs 范围，使其适用于栅极电压增加至 -10V 的快速开关应用，从而提高系统可靠性。fsHesmc
在 40 安培和 1200 V 的测试条件下，1700 V EliteSiC MOSFET 实现了 200 nC 的栅极电荷 (Qg) – 与接近 300 nC 的同等竞争器件相比，这是市场领先的。低 Qg 对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。fsHesmc
在 1700 V 的 BV 额定值下，EliteSiC 肖特基二极管器件在二极管的最大反向电压 (VRRM) 和峰值重复反向电压之间提供了改进的余量。新器件还提供出色的反向泄漏性能，最大反向电流 (IR) 在 25°C 时仅为 40 µA，在 175°C 时为 100 µA，明显优于通常在 25°C 时额定值为 100 µA 的竞争器件。fsHesmc
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