国巨研发有成，取得高容值MLCC技术大突破

被动元件厂商国巨公司最近宣布，该公司已在高容值MLCC(积层陶瓷电容)上取得重大技术突破，通过X5R 1210 100μF(微法拉)高容值MLCC的成功开发，奠定了该公司在被动元件上领域的技术领先地位。根据定义，高容值MLCC是指电容值大于1微法拉、介电层厚度小于4微米的产品。

国巨100μF MLCC突破了介电层厚度和电极层厚度的限制。u2cesmc

国巨积层陶瓷电容事业部副总经理胡湘麒表示，这次100μF高容值MLCC的成功研发，是台湾厂商首次以高温度稳定性材质成功研发完成100μF高容MLCC，更让国巨晋升为全球高容MLCC的主要供应商。该公司MLCC研发技术中心协理胡庆利博士补充指出，X5R 1210 100μF积层陶瓷电容运用了多项先进技术，包括纳米粉体覆盖、内埋式电极、精密印刷、低温端电极等。通过整合国巨全球研发团队资源、工业技术研究院材化所、台湾大学材料所的研发资源及欧美、日本技术顾问的指导，该公司在高容值MLCC产品的成功开发上具备前所未有的指针意义。 就应用面来看，100μF高容值MLCC可应用于液晶电视、液晶显示器、电源供应器以及许多低功耗的手持式消费性电子产品。胡湘麒进一步说明指出，过去100μF的高容值电容市场向来由钽质电容主导，而X5R 1210 100μF积层陶瓷电容的温度性稳定较高，在-55℃至85℃的工作温度范围内，误差值仅为±15%，生产良率稳定，因此可有效取代钽质电容市场需求。该公司的X5R 1210 100μF电容预计将在今年的第三季至第四季度间量产。 在此次的研发成果中，国巨已能突破介电层厚度和电极层厚度的限制，成功推出介电层小于2微米、电极层厚度小于1微米的高容值MLCC，堆栈数高达八百余层。继这次的技术成功研发后，国巨今年的研发重点将再接再厉锁定薄层技术的突破，主要为介电层 1.2微米的高容系列产品开发，包括0201 220MF、0402 1.5ΜF、0603 10ΜF 以及0805 17ΜF等。胡湘麒还特别针对其中的0603 10ΜF指出，这种元件在信息产品的应用面极广，为国巨新产品开发重点，目前正加紧研发过程中，预计今年底前便可开始供应0603 10ΜF电容。 针对X5R1210 100μF高容值积层MLCC的研发，国巨在2005年申请获得台湾当局经济部工业局“主导性新产品开发辅导计划”2,200万新台币的补助。胡庆利说明指出，该计划共分为十个子计划，在这项计划执行过程中，国巨以满分通过每一阶段的技术审查，顺利达成该项计划设定的生产良率目标，并在2006年底完成。继此次的研发成果后，针对MLCC技术的主要发展方向，诸如小型化、高容值、高耐压及高温(汽车工业)等，国巨将继续提出具体计划，争取相关补助。国巨目前的三大主力产品——芯片电阻、MLCC及磁性材料在全球市场都取得极佳的市占率，芯片电阻更是世界第一，另两项产品则名列全球前三大。其中，高容MLCC在今年底前的月产量将达到124亿颗，为去年33亿颗的3.5倍。