“从今年第二季度开始，NAND Flash开始涨价，整个市场NAND Flash供应吃紧，导致与NAND Flash相关的产品如eMMC、SSD以及高容量的eMCP涨声一片。平均涨幅达到了20%以上。” 深圳市江波龙电子有限公司行业客户部副总裁王伟民在接受国际电子商情采访时表示，目前已经接近Q3的尾巴，但还没有看到缓解的趋势，依然维持在比较紧绷的状态，而Q4又是传统的旺季，预计到Q4还是一个比较紧张的状态。kB0esmc
此前亦有消息称，随着旺季即将到来， Flash原厂对市场供应的Wafer数量在减少且价格提高了15%。另有业者指出，美国品牌64Gb MLC规格NAND Flash现货价已涨到2.8～2.9美元，128Gb MLC规格NAND Flash现货价亦涨到3.8美元以上，5月以来平均涨幅介于8～14%。kB0esmc
Nand Flash缺货为哪般？将加剧下游市场洗牌？
在业界看来，此轮NAND Flash的缺货主要在于两方面的原因：一方面是上游芯片厂持续将产能移转生产3D NAND，导致2D架构NAND Flash产出量下滑；另一方面是，移动智能设备和网络数据中心、服务器存储需求持续快速增长，尤其是智能型手机/平板搭载eMMC和客户端/服务器用SSD需求翻倍增加，持续消耗大量NAND Flash产能。kB0esmc
王伟民告诉记者，上游的NAND Flash厂商对3D制程转换预期比较高，今年最大的投资在于将产能移转至3D NAND，除了三星，包括东芝、SK海力士、美光、SanDisk以及Intel等业者都在推进3D NAND。但在实际的转换过程中并不是很顺利，良率不高，除了三星良率稳定提升外，其它厂商3D NAND的产出仍然有限。至于2D NAND，由于产线已转到3D NAND，2D NAND的产线被压缩，受到3D NAND产能排挤的影响，市场供应量持续减少中。而另一方面，OEM客户对新制程的导入需要时间，并没有那么快，比如手机类至少需要3个月，PC类可能需要超过6个月的导入时间。这导致很多项目会用回2D NAND，导致2D NAND的产品缺口较大。kB0esmc
王伟民进一步称，从需求角度看，SSD今年的需求上升比较快，因为价格已经到了一个比较低的水位，120G-128G SSD价格区间在199-299元；而最受欢迎的240G-256G SSD价格区间在299-499元。而此前，299元只能买到120G 容量，如今却能买到240G的容量，市场已经到了一个爆发点。他直言，目前PC端SSD的采用已经突破了30%，而去年不到25%，预计今年笔记本电脑市场对SSD的采用率会超过50%。另外，手机市场的需求也越来越旺盛，而且对内存容量需求也不断走高。他指出，随着手机摄像头像素的不断提升，对大容量eMMC的需求增长也非常快。“目前入门级手机搭载的内存已经到16G，国内很多手机如小米、魅族、乐视、OPPO、VIVO、华为等采用的闪存芯片已经以32G、64G为主了，高端一点的达到128G，苹果新一代iPhone甚至达到了256G，这推动了大容量NAND Flash的需求。” kB0esmc
深圳佰维存储科技有限公司销售经理叶士刚也表示，今年NAND Flash缺货的主要原因，一是3D Nandflash制程的转换；二是手机出货量冲的很高，尤其是在印度和非洲市场的销量非常好；三是今年机顶盒在国内市场的增长很快。kB0esmc
至于此轮缺货是否存在少数企业投机囤货的现象，王伟民称不排除会有这样的情况，但即便有也是一个短期的行为。一是今年的缺货时间较长，从Q2陆续缺货到现在，很少有人可以囤到足够的货；二是从往年的情况来看，NAND Flash闪存、DRAM的价格波动较大，涨价很少会持续超过3个月。王伟民指出，一个企业靠囤货去获取利益，这并不是一个可以良好发展的模式，既会伤害到客户，也不利于企业长久发展。当缺货发生时，关键是要顺应客户的需求去找平衡点。kB0esmc
随着Flash原厂对市场供应的Wafer数量减少， NAND Flash价格也一直上涨。“不同的容量，涨价幅度不同，有些涨价超过20%，有些超过了30%，平均来讲，涨价幅度在20%以上。大容量涨价幅度相对小一点，小容量涨价较多。”王伟民称，实际上在今年年初，晶圆厂处于供过于求的状态，面临着成本压力和获利的问题。不过，随着缺货的发生，目前来看，他们开始获利。这才是一个比较良性的生意模式。kB0esmc
目前，主芯片、液晶屏、存储芯片这三大件都处于紧缺状态。王伟民直言，目前屏缺货最为严重，其生产周期，尤其是液晶玻璃的生产周期需要一定的时间，产能提升应该没有这么快。MTK的主芯片已经缺了一阵子，据说9月份会有改善，目前可能比之前有所缓解，但看起来还是比较紧张。这几大件的缺货已经让很多生产厂商处于保守阶段，不敢轻易接单。王伟民认为，对生产厂商来讲，随着缺货的持续发酵，资源会流到一些核心的重要客户上，从而加剧市场洗牌。kB0esmc
此轮缺货何时休？
值得注意的是，目前已处于Q3，传统的消费类产品的旺季已经到来。传统旺季一般从8、9月份开始，一直延续到第二年1月，但今年7月份订单就开始增长。另外，苹果新近推出的iPhone 7提高了NAND Flash的搭载量，同时非苹果阵营下半年仍有许多新机上市，加上SSD销量强劲。如是来看，NAND Flash市场供给吃紧情况仍将持续。但问题是，何时才能缓解呢？kB0esmc
“目前已经接近Q3的尾巴，但还没有看到缓解的状态，依然维持在比较紧绷的状态，而Q4又是传统的旺季，预计到Q4还是一个比较紧张的状态。甚至有人预估到明年Q1也无法缓解。”王伟民认为，苹果iPhone7 销售的好与不好，也会成为影响整个市场供求关系的关键，因为iPhone7若热卖，必然导致Memory供应商砍掉其它的供应。他进一步分析称，iPhone7 采用的内存有32G/128G/256G三个版本，从整体市场来看，苹果对Memory的消耗量占了全球NAND Flash存储消耗量的近3成。另外，Android手机一直在成长，消耗的Memory也占近3成。如是，iPhone7与其他品牌智能手机新品上市后的销售情况必然会影响NAND Flash的供求关系。kB0esmc
叶士刚也表示，此轮NAND Flash缺货预计会持续到年底。“缺货不可能一直这样持续，各大各大NAND Flash原厂都在推进3D NAND Flash制程，而且投入已有一年多的时间。尽管目前3D NAND Flash的价格比较贵，市场还没推开，但估计到今年底明年初会逐渐向市场供应。” 他说，3D NAND FLASH不仅能够增加容量，而且读写速度快，耗电量更低，还可以将成本控制在较低水平。3D技术不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。市场导入会有一个过程。kB0esmc
未来内存市场将如何走？
目前，手机市场是对存储的消耗最大，并持续往高速、高容量方向发展。对于Nand Flash相关产品未来的市场发展走势，王伟民认为主要有以下几大方向：kB0esmc
一是，手机端的eMMC在往高速、大容量方向走，SSD在往小封装、小尺寸方向发展，两者正在慢慢在融合。市场上有厂商，包括江波龙都有推出BGA的SSD，就是芯片大小的SSD产品，这是一个比较典型的融合，未来可能会推PCI-E接口的 BGA SSD。“在新一代iPhone上，有采用NVME PCIe SSD存储系统，其实PCIe存储系统之前是用在电脑上的，目标就是追求高速、高容量和更大的存储介质。”王伟民认为，未来，不管什么类型的存储介质，eMMC也好，SSD也罢，概念不会像原来那样界定清晰，可能都会被采用，或者可能就是一个NVME接口标准的存储设备。比如平板电脑，可能用SSD，也用eMMC，高端一点的产品用SSD，低端的用eMMC，只是针对的用户群不一样。kB0esmc
二是，手机端有推进所谓的UFS的产品，速度已经达到了固态硬盘的速度。目前一些旗舰机型有搭载，明年一些中端机型也会搭载UFS产品。kB0esmc
目前，在一些旗舰手机里面，已经采用UFS产品，如三星 Galaxy S7，小米5，魅族MX6、乐Max 2、一加手机3等采用了UFS2.0闪存。UFS 2.0是新一代闪存存储标准，是eMMC的下一代产品。众所周知，在手机兴起的这几年中，手机的闪传规格有了很大的提高，eMMC规格的标准从eMMC 4.3标准逐步发展到eMMC 5.1标准，再到今天的UFS 2.0闪传标准，实际上都是在进步和提升，UFS 2.0闪传标准有着比eMMC 5.1更快的读取性能。kB0esmc
据了解，eMMC 4.4的读取速度大约为104MB/s、eMMC 4.5则为200MB/s，性能在当时是十分优秀的；三星2013年7月29日开始量产的行业首款eMMC 5.0存储产品，其读取速度为400MB/s，但是因为使用的是8位并行界面，因此性能潜力已经基本到达瓶颈，以eMMC 5.1规范来说，其理论带宽为600MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。而UFS 2.0闪存读写速度可以高达每秒1400MB，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。kB0esmc
王伟民透露，江波龙今年底明年初会推出UFS产品。“我们的UFS产品的样品已做过展示，会在今年底明年初量产。而且，我们计划把3D NAND Flash产品整合进UFS产品推向市场。”kB0esmc
另外，在9月初江波龙正式推出了基于3D TLC NAND Flash的SSD。“明年，我们也会把3D TLC NAND Flash导入到eMMC和UFS这类嵌入式产品里面。”王伟民称，从DRAM内存的方向来看，PC已经往DDR5方向走了，或者HBM（High Bandwidth Memory）这种宽频的DRAM，不过，目前的主力还是DDR4，DDR5还没有大量产出。从手机市场来看，目前的主力还是DDR3，但旗舰机型已经到DDR4了，明年中高端手机搭载DDR4的比例会越来越高。kB0esmc
三是，容量、速度是未来手机对存储介质比较关注的重要因素，因为差异化是手机追求的方向，这种差异化可能是屏的差异，如2K/4K屏，可能是摄像头、大的存储等方面的差异。王伟民称，到今年下半年可能不少旗舰级手机机会支持256G的大容量。今年，32G、64G是主流容量，明年64G可能还是主流容量。明年3D NAND Flash产品会逐渐上市，其单颗芯片容量最低32G。不过，低容量的Nandflsh还是会持续增长，对64G的需求也会继续增加。kB0esmc
四是，对存储的需求量增大，使得大家需求更多的存储空间，手机可能回归重新支持存储卡扩展。“目前，很多智能手机都可以支持存储卡的扩展，如三星的note7，红米的note 4。”王伟民说，实际上，在智能手机发展初期，内存在2G、4G存储的时候，存储卡是一个很重要配置，但随着存储容量的增大，最近一两年手机存储陆续以内置式为主了，不额外提供存储空间。但今年来看，又陆续有手机回归到支持存储卡扩展，而且其本身的内存容量达到了32G。kB0esmc
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