2017年第一季度的DRAM产业营收表现再度创下新高。从价格方面来看，由于去年第四季严重供不应求，多数PC-OEM厂商选择提早在去年12月洽谈第一季的合约价以确保供货稳定，使得第一季合约价再度上涨超过三成，亦带动其他内存类别同步上扬，如服务器内存在第一季的价格上扬也相当可观，行动式内存价格也有近一成的涨幅。

赛普拉斯在上周召开的股东大会上正式确认，将淡出中低容量NOR Flash（编码型闪存）市场，策略转向专注车用和工业用规格市场。

确定2016年净亏损84亿美元，东芝出售半导体业务一案也将尘埃落定。

5月10日，英特尔在其大连工厂发布了两款全新的采用3D NAND的数据中心级固态盘：英特尔® 固态盘DC P4500系列及英特尔® 固态盘DC P4600系列。

日本东芝已经告知美国西部数据(Western Digital Corp)，要求勿干扰其芯片业务出售，驳斥西部数据有关违反合资协议的主张。西部数据驻日本发言人拒绝作出评论。

日前，市场研究机构IC Insight公布的2017年第一季全球十大半导体厂营收排名显示，英特尔和三星已经十分接近，SK海力士、美光、东芝内存厂大赚，排名上升。博通力压高通成为全球最大的FABLESS厂商，英飞凌取代联发科排名第十位。

现在的日本舆论一面倒地偏向拯救一家传奇性的本土企业，奇怪的是很少有人提及该如何拯救东芝的内存业务，让我们来听听日本本土芯片专家的看法…

在三星、SK海力士及美光集团三大原厂的纳米制程转进及智能手机主流AP（应用处理器）的搭载需求下，LPDDR4X的产出比重持续增加，出货数量在第二季开始将超越LPDDR4，且由于LPDDR4及LPDDR4X已呈 同价趋势，两者和LPDDR3的价差都小于5%，也加速LPDDR4系列（含LPDDR4X）的导入速度，预估全年度LPDDR4系列将达到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成为2017年移动内存的搭载主流。

前几天，富士康公司董事长郭台铭与夏普社长戴正吴造访过白宫，加速富士康的美国制造布局，此举正值特朗普抛出大规模减税方案计划。郭台铭在会面之后表示，富士康计划在美国进行一系列投资，这个项目报告资本密集型投资、技术工人和高科技投资。显然，郭台铭这次关键时间点的美国之旅还有其他重要目的：为收购东芝半导体铺路。

近三年来，我一直预测2017年会是闪存(Flash)/固态硬盘(SSD)丰收的一年。然而，由于3D NAND转型步调缓慢，加上智能手机到服务器等市场的需求旺盛，如今的flash颗粒供应极其吃紧。不仅价格持续上涨20%或甚至更多，而像个人计算机(PC)等领域的内存供应不足更对其销售数字带来冲击。

全球市场研究机构集邦咨询最新研究显示，在今年度移动式内存猛烈的价格涨势之下，智能手机移动式内存搭载量的成长动能受到压抑，预估2017年智能手机移动式内存平均单机搭载量自3.7GB下修至约3.2GB，与去年相较为仅成长33.4%。

华为P10闪存混用真的没办法，供应链缺货太厉害了。目前业内传出消息，闪迪（SanDisk）的货也开始缺了。目前部分4GB颗粒出现缺货，如SDIN7DP2-4G。由于SanDisk计划第三季度要将19纳米产线转到15纳米先进工艺，期间或出现供应紧张状况。

在英特尔在统治了全球半导体四分之一个世纪之后，半导体行业即将会看到另一个新霸主的出现。市场调查机构IC Insights表示，韩国三星有望于在2017年第二季度终结处理器霸主英特尔，成为全球半导体龙头，这是自1993年来的25年纪录首次终结。

手机普及更大内存受到成本抑制，目前DRR4颗粒现货价格出现小幅下跌行情，向合约价靠近，主要由于三、四季度备货潮还未来临。受工艺产能限制，全年来看，DRAM颗粒价格将继续上扬。

智能手机对NAND Flash的需求居高不下，64GB已经是千元机的标准配置，旗舰手机大多配置128GB闪存存储，这种翻倍上涨的存储需求直接导致手机供应链严重缺货。手机销量火爆，厂商却陷入没有货源不足的囧境。

服务器内存供给持续吃紧，且仍有供给缺口未能完全满足需求。其中原厂对LTA（Long Term Agreement）服务器制造商的平均出货达标率下滑至约八成，显示供给缺口仍有两成未能满足，甚至对其余中国大陆与台湾地区ODM厂的出货达标率下滑至六成左右。预估在需求缺口仍维持的情况下，2017年第二季服务器内存价格涨势将延续，涨幅逾10%。

国际电子商情获悉，受上游原材料硅片、掩膜等涨价影响，晶圆代工厂进入了涨价周期，消费类、物联网需求的放量带动了目前8寸、12寸晶圆产线的产能满载。

东芝半导体股权首轮竞标传出消息，鸿海出资将近3兆日元（约合1882亿元）居已知提案者之首，两-三倍于其他厂商。目前，这些无约束力的报价在2万亿日元（180亿美元）左右。

日前，存储器大厂美光科技（Micron）出重手反击中国大陆厂商大规模挖角行为，上月配合台湾检调单位，针对稍早前并购的华亚科及瑞晶科技关键制程和研发人员跳槽至对岸，或协助大陆厂进行DRAM研发，展开大规模搜索，并限制相关人员出境，估计有上百人遭到约谈及搜索。

调研机构IC Insights表示，由于2017年全球DRAM与NAND Flash销售额将会分别年增39%与25%，因此将当年全球整体IC市场规模年增率预估由先前的5%，大幅上调为11%。成长幅度创近5年新高。

东芝半导体竞标事件终于告一段落，除已知的西部数据（WD）、SK海力士、鸿海、美光科技、金士顿外，博通、苹果也出现在十大买家名单，东芝将在四月1日拆分成立内存新公司，首选投标人将于6月定案。

Tech Shanghai IC设计论坛3月23日在上海长荣桂冠酒店成功举办，上百名工程师出席了此次论坛，和国内外一流的讲师一起讨论了射频前端、物理实现、SoC安全、反向拆解、建模仿真等方面的设计难题。

自三星西安厂发生火灾后，存储器正式开启供不应求的超级周期，全部产品线价格季季上扬，三大原厂获利爆表，相关代理商成为供应链座上宾。DRAM方面，三星最先导入18nm工艺，产能和市占一家独大，领先美光、SK海力士一两个身位，获益最多。

数据存储需求飙升，产能引发供应瓶颈，全球存储芯片制造商正在经历超级周期。NAND Flash和DRAM内存涨幅接近50%-60%，市场报价还在持续上扬，连跌落低谷的NOR Flash也触底反弹，厂商迎四年来最好时光，涨幅出乎市场预料，且正在加速上涨，每天都有客户排队要货，库存已销售一空。存储器已成为终端厂商成本考量最重要因素。

中国大陆新建存储基地抢人大战开打。去年12月12日，美光高调宣布并购华亚科。今年年后，上百位华亚科工程师集体跳槽大陆存储基地，包括紫光旗下湖北武汉的长江存储和安徽合肥的合肥长鑫。 日前，台湾媒体《财讯》周刊曝光美光及南亚科上百名工程师跳槽大陆的内幕，以及求职者的洽谈过程。中国大陆开出的薪水让台湾心碎：高个两倍没有问题，3倍可以再谈谈。